SiC Nanotellərinin dispersiyası və əlavə miqdarı (yalnız istinad üçün)
Tövsiyə olunan dispersiya mühiti: deionlaşdırılmış su, distillə edilmiş su, susuz etanol, etilen qlikol
Tövsiyə olunan dispersant: Polietilen imin (PEI), qeyri-ionik poliakri lamid (PAM), natrium pirofosfat (SPP), twain 80, silisium birləşmələri birləşdirici agent, polietilen qlikol, natrium heksametafosfat, natrium karboksimetil selüloz və s.
Adi keramika matris kompozitlərində ümumiyyətlə 10wt%-dən az silisium karbid nanotelləri əlavə edilir.Xüsusi optimallaşdırma prosesində 1wt%-dən başlamaq və tədricən sınaqdan keçirmək və optimallaşdırmaq tövsiyə olunur.Eksperimental təcrübəyə görə, əlavə miqdarı nə qədər yüksək olarsa, o qədər də yaxşı deyil, xammal, material ölçüsü, sinterləmə temperaturu ilə əlaqədardır, məqbul əlavə miqdarı ən yaxşı sərtləşdirmə effektini əldə edə bilər.

Dağılmış SiC nanotel şlamını və keramika tozunu qarışdırdıqdan sonra 1-12 saat ərzində dispersiyaya davam edin.muncuq dəyirmanı dispersiyası və ya mexaniki qarışdırma üsulu tövsiyə olunur.Bilyalı freze üsulu nanotellərin qırılmasına səbəb olmaq üçün asandır.

SiC nanotellərinin və matris materiallarının qarışığı o qədər də yaxşı deyilsə, qarışdırma vahidliyini yaxşılaşdırmaq üçün dispersant kimi 1% kütlə SiCNW (və ya az miqdarda izopropanol/etanol) natrium heksametafosfat əlavə edilə bilər.

Dağıldıqdan sonra qurutma və susuzlaşdırma dərhal aparılmalıdır.Şlamı incə yaymaq üçün geniş sahəyə malik bir qaba tökün və ərazini artıraraq asanlıqla buxarlanacaq və susuzlaşacaq. Nanotellər və matris arasında xammalın delaminasiyasına yol verməmək daha vacibdir.Tövsiyə olunan qurutma temperaturu 110-160 ℃-dir.