Silikon karbid nanotellərinin diametri ümumiyyətlə 500 nm-dən azdır və uzunluğu yüzlərlə μm-ə çata bilər ki, bu da silisium karbid bığlarından daha yüksək aspekt nisbətinə malikdir.

Silisium karbid nanotelləri silisium karbid toplu materiallarının müxtəlif mexaniki xüsusiyyətlərini miras alır və həmçinin aşağı ölçülü materiallara xas olan bir çox xüsusiyyətlərə malikdir. Teorik olaraq, bir SiCNW-nin Young modulu təxminən 610~660GPa-dır; əyilmə gücü 53,4GPa-a çata bilər ki, bu da SiC bığlarından təxminən iki dəfə çoxdur; dartılma gücü 14GPa-dan çoxdur.

Bundan əlavə, SiC özü dolayı zolaqlı yarımkeçirici material olduğundan, elektronların hərəkətliliyi yüksəkdir. Üstəlik, nano miqyaslı ölçüsünə görə, SiC nanotelləri kiçik ölçülü təsirə malikdir və luminescent material kimi istifadə edilə bilər; eyni zamanda, SiC-NW-lər də kvant effektləri göstərir və yarımkeçirici katalitik material kimi istifadə edilə bilər. Nano silisium karbid məftilləri sahə emissiyası, möhkəmləndirici və sərtləşdirici materiallar, superkondensatorlar və elektromaqnit dalğa udma cihazları sahələrində tətbiq potensialına malikdir.

Sahə emissiyası sahəsində nano SiC naqilləri əla istilik keçiriciliyinə, 2,3 eV-dən çox zolaq boşluğu eninə və əla sahə emissiya performansına malik olduğundan, onlar inteqral sxem çiplərində, vakuum mikroelektronik cihazlarda və s.
Silisium karbid nanotelləri katalizator materialları kimi istifadə edilmişdir. Tədqiqatların dərinləşməsi ilə onlar tədricən fotokimyəvi katalizdə istifadə olunur. Asetaldehid üzərində katalitik sürət təcrübələri aparmaq və ultrabənövşəyi şüalardan istifadə edərək asetaldehidin parçalanma vaxtını müqayisə etmək üçün silisium karbid nanotellərindən istifadə edilən təcrübələr mövcuddur. Bu, silisium karbid nanotellərinin yaxşı fotokatalitik xüsusiyyətlərə malik olduğunu sübut edir.

SiC nanotellərinin səthi ikiqatlı strukturun böyük bir sahəsi yarada bildiyindən, o, əla elektrokimyəvi enerji saxlama performansına malikdir və superkondensatorlarda istifadə edilmişdir.