Аднаслаёвы нанапарашок аксіду графена GO
Спецыфікацыя прадукту
| Назва прадмета | аксід графена |
| MF | C |
| Чысціня (%) | 99% |
| Знешні выгляд | загар цвёрды парашок |
| Памер часціц | таўшчыня: 0,6-1,2 нм, даўжыня: 0,8-2 мкм, 99% |
| Марка | HW |
| Ўпакоўка | падвойныя антыстатычныя пакеты |
| Гатунак Стандарт | прамысловы |
Прадукцыйнасць прадукту
Ужываннеаксіду граена:
Сонечная батарэя. З выкарыстаннем аксіду графена замест PEDOT:PSS у якасці транспартнага пласта дзіркі палімернай сонечнай батарэі была атрымана аналагічная эфектыўнасць фотаэлектрычнага пераўтварэння (PCE). Даследаваўся ўплыў рознай таўшчыні пласта GO на палімерны сонечны элемент PCE. Высветлілася, што таўшчыня пласта плёнкі GO склала 2 нм. Прылада мае самую высокую эфектыўнасць фотаэлектрычнага пераўтварэння. Гнуткі датчык, паколькі аксід графена змяшчае шмат гідрафільных функцыянальных груп, яго лёгка мадыфікаваць. Акрамя таго, ён мае вялікую ўдзельную паверхню, добрую диспергируемость і добрую адчувальнасць да вільготнасці, што робіць яго ідэальным сэнсарным матэрыялам, асабліва ў галіне гнуткіх датчыкаў.
Захоўваннеаксіду графена:
Аксід графенатрэба запячатаць і захоўваць у сухім, прахалодным памяшканні, удалечыні ад прамых сонечных прамянёў.
