Дыяметр нанаправаднікаў карбіду крэмнію, як правіла, менш за 500 нм, а даўжыня можа дасягаць сотняў мкм, што мае больш высокае стаўленне, чым вусы з карбіду крэмнію.

Нанаправаднікі з карбіду крэмнію ўспадкоўваюць розныя механічныя ўласцівасці аб'ёмных матэрыялаў з карбіду крэмнію, а таксама маюць мноства ўласцівасцей, унікальных для нізкамерных матэрыялаў. Тэарэтычна модуль Young адзінага SICNW складае каля 610 ~ 660GPA; Сіла выгібу можа дасягаць 53,4GPA, што прыблізна ўдвая большая за вусы SIC; Сіла расцяжэння перавышае 14GPA.

Акрамя таго, паколькі сам SIC з'яўляецца ўскосным паўправадніковым матэрыялам, якая займаецца электронам, мабільнасць электронаў высокая. Больш за тое, з -за памеру нанамаштабных нанаправодаў SIC аказвае невялікі эфект памеру і можа выкарыстоўвацца ў якасці люмінесцэнтнага матэрыялу; У той жа час SIC-NWS таксама дэманструе квантавыя эфекты і можа выкарыстоўвацца ў якасці паўправадніковага каталітычнага матэрыялу. Правады карбіду Nano Silicon маюць патэнцыял прымянення ў палях выпраменьвання палявых, армавальных і жорсткіх матэрыялаў, суперкасапацытараў і прыбораў паглынання электрамагнітнай хвалі.

У галіне выкідаў на месцах, паколькі правады Nano SIC маюць выдатную цеплаправоднасць, шырыня прамежка ў дыяпазоне больш за 2,3 эВ і выдатныя характарыстыкі выкіду палявых выкідаў, яны могуць быць выкарыстаны ў комплексных мікрасхемах, вакуумных мікраэлектронных прыладах і г.д.
У якасці каталізатараў выкарыстоўваліся нанаправаднікі карбіду крэмнію. Пры паглыбленні даследаванняў яны паступова выкарыстоўваюцца ў фотахімічным каталізе. Існуюць эксперыменты з выкарыстаннем нанаправаднікаў з карбіду крэмнію для правядзення эксперыментаў па каталітычных хуткасцях на ацэтальдэгід і параўноўваюць час раскладання ацэтальдэгіду з выкарыстаннем ультрафіялетавых прамянёў. Гэта даказвае, што нанаправаднікі карбіду крэмнію валодаюць добрымі фотакаталітычнымі ўласцівасцямі.

Паколькі паверхня SIC Nanowires можа ўтварыць вялікую плошчу двухслаёвай структуры, яна мае выдатныя электрахімічныя характарыстыкі захоўвання энергіі і выкарыстоўваецца ў суперконденсатараў.