সিলিকন কার্বাইড ন্যানোয়ারের ব্যাস সাধারণত 500nm এর চেয়ে কম হয় এবং দৈর্ঘ্য শত শত μm পর্যন্ত পৌঁছাতে পারে, যার আকৃতির অনুপাত সিলিকন কার্বাইড হুইস্কারের চেয়ে বেশি।

সিলিকন কার্বাইড ন্যানোয়ারগুলি সিলিকন কার্বাইড বাল্ক উপকরণগুলির বিভিন্ন যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য উত্তরাধিকারসূত্রে প্রাপ্ত হয় এবং এছাড়াও নিম্ন-মাত্রিক উপকরণগুলির জন্য অনন্য অনেক বৈশিষ্ট্য রয়েছে। তাত্ত্বিকভাবে, একটি একক SiCNW-এর ইয়ং মডুলাস প্রায় 610~660GPa; নমন শক্তি 53.4GPa এ পৌঁছাতে পারে, যা SiC হুইস্কারের প্রায় দ্বিগুণ; প্রসার্য শক্তি 14GPa ছাড়িয়ে গেছে।

উপরন্তু, যেহেতু SiC নিজেই একটি পরোক্ষ ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান, তাই ইলেক্ট্রন গতিশীলতা বেশি। অধিকন্তু, এর ন্যানো স্কেল আকারের কারণে, SiC ন্যানোয়ারগুলির একটি ছোট আকারের প্রভাব রয়েছে এবং এটি একটি আলোকিত উপাদান হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে; একই সময়ে, SiC-NWs এছাড়াও কোয়ান্টাম প্রভাব দেখায় এবং একটি অর্ধপরিবাহী অনুঘটক উপাদান হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। ন্যানো সিলিকন কার্বাইড তারের ক্ষেত্রে ক্ষেত্র নির্গমন, শক্তিবৃদ্ধি এবং শক্ত করার উপকরণ, সুপারক্যাপাসিটর এবং ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক তরঙ্গ শোষণ ডিভাইসের ক্ষেত্রে প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।

ক্ষেত্র নির্গমনের ক্ষেত্রে, যেহেতু ন্যানো SiC তারের চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, 2.3 eV-এর চেয়ে বেশি ব্যান্ড গ্যাপ প্রস্থ এবং চমৎকার ক্ষেত্র নির্গমন কর্মক্ষমতা রয়েছে, তাই এগুলি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপস, ভ্যাকুয়াম মাইক্রোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস ইত্যাদিতে ব্যবহার করা যেতে পারে।
সিলিকন কার্বাইড ন্যানোয়ারগুলি অনুঘটক উপকরণ হিসাবে ব্যবহার করা হয়েছে। গবেষণার গভীরতার সাথে, তারা ধীরে ধীরে ফটোকেমিক্যাল ক্যাটালাইসিসে ব্যবহার করা হচ্ছে। অ্যাসিটালডিহাইডের উপর অনুঘটক হার পরীক্ষা চালানোর জন্য সিলিকন কার্বাইড ন্যানোয়ার ব্যবহার করে পরীক্ষা রয়েছে এবং অতিবেগুনী রশ্মি ব্যবহার করে অ্যাসিটালডিহাইড পচনের সময় তুলনা করা হয়েছে। এটি প্রমাণ করে যে সিলিকন কার্বাইড ন্যানোয়ারের ভাল ফটোক্যাটালিটিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

যেহেতু SiC ন্যানোয়ারের পৃষ্ঠটি ডাবল-লেয়ার কাঠামোর একটি বৃহৎ এলাকা গঠন করতে পারে, এটির চমৎকার ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল শক্তি সঞ্চয় কার্যক্ষমতা রয়েছে এবং এটি সুপারক্যাপাসিটরগুলিতে ব্যবহৃত হয়েছে।