Prečnik silicijum karbidnih nanowira uglavnom je manji od 500nm, a dužina može dostići stotine μm, što ima viši omjer slike od silikonskih karbidnih šampiona.

Silicijum karbidni nanowires naslijeđuju različita mehanička svojstva silikonskih karbidnih rasutih materijala i također imaju mnogo svojstava jedinstvenih za niske dimenzionalne materijale. Teoretski, mladi modul samohrane sicnws iznosi oko 610 ~ 660GPA; Snaga savijanja može dostići 53.4GPA, što je otprilike dva puta veće od sića; Zatezna snaga prelazi 14GPA.

Pored toga, budući da je sam SIC indikonduktori indikondukcijski prostor indirektnog pojasa, elektronska pokretljivost je velika. Štaviše, zbog svoje veličine Nano skale, Sic Nanowires ima mali efekat veličine i mogu se koristiti kao luminentni materijal; Istovremeno, SIC-NWS takođe pokazuju kvantne efekte i mogu se koristiti kao poluvodički katalitički materijal. Nano silicijske karbidne žice imaju mogućnost primjene u poljima polja emisije polja, pojačanja i načvršćivanja, superkoraktora i uređaja za apsorpciju elektromagnetske valove.

U oblasti emisije na terenu, jer nano sic žice imaju odličnu toplinsku provodljivost, širinu pojasa veće od 2.3 eV i izvrsne performanse emitiranja polja, oni se mogu koristiti u integriranim krugovima, vakuumskim mikroelektronskim uređajima, itd.
Silicijum karbidni nanowires korišteni su kao katalizator materijala. Uz produbljivanje istraživanja, postepeno se koriste u fotohemijskoj katalizi. Postoje eksperimenti koji koriste silicijum karbidne nanowires za provođenje eksperimenata katalizacije na acetaldehidu i usporediti vrijeme uklanjanja acetaldehide pomoću ultraljubičastih zraka. Dokazuje da silicijum karbid nanowires imaju dobre fotokatalitičke svojstva.

Budući da površina sića nanowires može formirati veliko područje dvoslojne strukture, ima odličnu elektrohemijsku izvedbu energije i koristi se u superkoraktorima.