Prečnik nanožica od silicijum karbida je generalno manji od 500 nm, a dužina može doseći stotine μm, što ima veći odnos stranica od brkova od silicijum karbida.

Nanožice od silicijum karbida nasljeđuju različite mehaničke osobine rasutog materijala od silicijum karbida i također imaju mnoga svojstva jedinstvena za materijale niskih dimenzija. Teoretski, Youngov modul jednog SiCNW-a je oko 610~660GPa; čvrstoća na savijanje može doseći 53,4 GPa, što je oko dva puta više od SiC brkova; vlačna čvrstoća prelazi 14 GPa.

Osim toga, budući da je sam SiC poluvodički materijal s indirektnim razmakom, mobilnost elektrona je visoka. Štaviše, zbog svoje nano veličine, SiC nanožice imaju efekat male veličine i mogu se koristiti kao luminiscentni materijal; u isto vrijeme, SiC-NW također pokazuju kvantne efekte i mogu se koristiti kao poluvodički katalitički materijal. Žice od nano silicijum karbida imaju potencijal primene u oblastima polja emisije, materijala za ojačanje i ojačavanje, superkondenzatora i uređaja za apsorpciju elektromagnetnih talasa.

U području emisije polja, budući da nano SiC žice imaju odličnu toplinsku provodljivost, širinu pojasa veće od 2,3 eV i odlične performanse emisije polja, mogu se koristiti u čipovima integriranih kola, vakuumskim mikroelektronskim uređajima itd.
Nanožice od silicijum karbida korišćene su kao katalizatorski materijali. Sa produbljivanjem istraživanja, postepeno se koriste u fotohemijskoj katalizi. Postoje eksperimenti koji koriste nanožice od silicijum karbida za provođenje eksperimenata katalitičke brzine na acetaldehidu i upoređivanje vremena raspadanja acetaldehida pomoću ultraljubičastih zraka. To dokazuje da nanožice od silicijum karbida imaju dobra fotokatalitička svojstva.

Budući da površina SiC nanožica može formirati veliku površinu dvoslojne strukture, ima odlične performanse elektrohemijskog skladištenja energije i koristi se u superkondenzatorima.