50 nm ITO Òxid d'estany d'indi
Nanopols d'òxid d'estany ITO
Especificació:
| Codi | V751-1 |
| Nom | Nanopols d'òxid d'estany ITO |
| Fórmula | ITO (In2O3, SnO2) |
| CAS Núm. | 50926-11-9 |
| Tamany de partícula | 50 nm |
| In2O3: SnO2 | 99:1 |
| Puresa | 99,99% |
| Aparença | Pols groc |
| paquet | 100 g, 500 g, 1 kg o segons sigui necessari |
| Aplicacions potencials | Material objectiu, vidre conductor, recobriment conductor transparent, pel·lícula conductora transparent, recobriment antiestàtic, absorbent de microones, etc. |
Descripció:
L'ITO és una pols d'òxid metàl·lic nano compost per òxid d'indi i òxid d'estany.ITO té excel·lents propietats elèctriques i òptiques, com ara conductivitat, transparència, aïllament tèrmic, protecció ultraviolada i altres propietats.In2O3 i ITO es poden ajustar segons diferents usos.La nostra oferta habitual per a ITO és In2O3: SnO2=99:1, si els clients requereixen altres proporcions, hi ha un servei personalitzat disponible.
Actualment, ITO és un dels materials de pel·lícula conductora més utilitzats per a la preparació de pantalles LCD, pantalles tàctils i altres dispositius.
Els materials semiconductors de tipus N amb amplis buits d'energia, com ara l'òxid d'estany d'indi (ITO), l'òxid d'antimoni d'estany (ATO), l'òxid de zinc dopat amb alumini (AZO), etc., són materials d'aïllament tèrmic transparent ideals, que tenen una alta transmitància en el regió visible i alta absorció a la regió ultraviolada.Els materials s'utilitzen àmpliament en l'aïllament tèrmic i els productes relacionats s'han produït en massa.
Condicions d'emmagatzematge:
Les nanopols d'òxid d'estany d'indi ITO han d'estar ben segellades, emmagatzemar-se en un lloc fresc i sec, evitar la llum directa.L'emmagatzematge a temperatura ambient està bé.
SEM i XRD:
