Els materials polimèrics tenen els avantatges de baixa densitat, fàcil processament i bon aïllament elèctric.S'utilitzen àmpliament en camps com la integració i l'embalatge de microelectrònica, la maquinària elèctrica i l'estalvi d'energia LED.En termes generals, els polímers són mals conductors de la calor.Pel que fa als materials aïllants, la seva capacitat de dissipació de calor s'està convertint en un problema de coll d'ampolla i hi ha una necessitat urgent de preparar materials compostos de polímers d'alta conductivitat tèrmica amb excel·lents propietats integrals.

El carbur de silici té les característiques de resistència a la corrosió, resistència a alta temperatura, alta resistència, bona conductivitat tèrmica, resistència a l'impacte, etc. Al mateix temps, té els avantatges d'una alta conductivitat tèrmica, resistència a l'oxidació i bona estabilitat tèrmica.

Els investigadors van utilitzar carbur de silici com a farciment conductor tèrmic per omplir epoxi i van trobar que el carbur de nanosilici pot promoure la curació de la resina epoxi, i les partícules de carbur de silici tenen més probabilitats de formar un camí de conducció tèrmica o una cadena de xarxa tèrmica dins del sistema de resina. , reduint la relació de buits interns de la resina epoxi i millorant la resina epoxi.La conductivitat mecànica i tèrmica del material.

Alguns estudis han utilitzat l'agent d'acoblament de silà, l'àcid esteàric i la seva combinació com a modificadors per estudiar els efectes de diferents modificadors sobre el contingut sòlid, el valor d'absorció d'oli i la conductivitat tèrmica de la pols β-SiC.Els resultats experimentals mostren que l'efecte de modificació de KH564 en l'agent d'acoblament de silà és més evident;Mitjançant l'estudi de l'àcid esteàric i la combinació dels dos modificadors de superfície, els resultats mostren que l'efecte de modificació es millora encara més en comparació amb el modificador únic i la duresa és més alta.L'efecte dels àcids grassos i KH564 és millor, i la conductivitat tèrmica arriba a 1,46 W/(m·K), que és un 53,68% superior a la del β-SiC no modificat i un 20,25% superior a la de la modificació única de KH564.

A dalt només per a la vostra referència, els detalls necessitarien la vostra prova, gràcies.