Ang Nano-germanium adunay mga bentaha sa pig-ot nga gintang sa banda, taas nga coefficient sa pagsuyup, ug taas nga paglihok. Kung gipadapat sa pagsuyup nga layer sa mga solar cell, kini epektibo nga makapalapad sa pagsuyup sa infrared band spectrum sa mga solar cell.

Ang Germanium nahimo nga labing gisaad nga negatibo nga materyal sa elektrod alang sa mga baterya sa lithium-ion tungod sa taas nga kapasidad sa teoretikal.

Ang theoretical mass capacity sa germanium mao ang 1600 mAh/g, ug ang volume capacity kay taas sa 8500 mAh/cm3. Ang diffusion rate sa Li + sa Ge nga materyal maoy mga 400 ka pilo kay sa Si, ug ang electronic conductivity maoy 104 ka pilo kay sa Si, mao nga ang germanium mas angay alang sa high-current ug high-power devices.

Usa ka pagtuon nag-andam ug nano-germanium-tin/carbon composite nga materyal. Ang carbon nga materyal makapauswag sa conductivity sa germanium samtang mopahiangay sa kausaban sa gidaghanon niini. Ang pagdugang sa lata makapauswag pa sa conductivity sa materyal. Dugang pa, ang duha ka sangkap sa germanium ug lata adunay lain-laing mga potensyal alang sa lithium extraction/insertion. Ang sangkap nga dili moapil sa reaksyon mahimong magamit ingon usa ka matrix aron i-buffer ang pagbag-o sa gidaghanon sa lain nga sangkap sa panahon sa proseso sa pag-charge ug pag-discharge, sa ingon nagpauswag sa kalig-on sa istruktura sa negatibo nga electrode.