0.1-2um, L/D>=20, Gitas-on:10-50um Silicon Carbide Whisker
Silicon Carbide Whisker
Detalye:
| Code | D500 |
| Ngalan | Silicon Carbide Whisker |
| Pormula | β-SiC-w |
| CAS No. | 409-21-2 |
| Dimensyon | 0.1-2.5um ang diametro, 10-50um ang gitas-on |
| Kaputli | 99% |
| Uri sa Kristal | Beta |
| Panagway | Berde |
| Pakete | 100g, 500g, 1kg o kung gikinahanglan |
| Potensyal nga mga aplikasyon | Ingon usa ka maayo kaayo nga ahente nga nagpalig-on ug nagpatig-a, ang SiC whisker nga gipakusgan nga nakabase sa metal, gibase sa seramik ug gibase sa polymer nga mga komposit nga materyales kaylap nga gigamit sa makinarya, kemikal, depensa, kusog, pagpanalipod sa kalikopan ug uban pang mga natad. |
Deskripsyon:
Ang SiC whisker kay usa ka kristal nga fiber nga adunay diyametro gikan sa nanometer hangtod sa micrometer.
Ang kristal nga istruktura niini susama sa diamante.Adunay pipila ka mga kemikal nga mga hugaw sa kristal, walay mga utlanan sa lugas, ug pipila ka mga depekto sa istruktura sa kristal.Ang komposisyon sa bahin managsama.
Ang SiC whisker adunay taas nga punto sa pagkatunaw, ubos nga densidad, taas nga kusog, taas nga modulus sa elasticity, ubos nga thermal expansion rate, ug maayo nga pagsukol sa pagsul-ob, resistensya sa kaagnasan, ug taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon.
Ang SiC whisker kasagarang gigamit sa pagpatig-a nga mga aplikasyon diin ang taas nga temperatura ug taas nga kusog nga mga aplikasyon gikinahanglan.
Kahimtang sa pagtipig:
Ang Silicon Carbide Whisker (β-SiC-w) kinahanglan nga tipigan sa selyado, paglikay sa kahayag, uga nga dapit.Ang pagtipig sa temperatura sa kwarto OK ra.
SEM :
