Ang mga materyales nga polimer adunay mga bentaha sa ubos nga densidad, dali nga pagproseso, ug maayo nga pagkakabukod sa kuryente.Kini kaylap nga gigamit sa mga natad sama sa microelectronics integration ug packaging, electrical machinery, ug LED energy saving.Sa kasagaran nga pagsulti, ang mga polimer dili maayo nga mga konduktor sa kainit.Hangtud sa insulating nga mga materyales, ang ilang kapasidad sa pagwagtang sa kainit nahimong problema sa bottleneck, ug adunay dinalian nga panginahanglan sa pag-andam sa taas nga thermal conductivity polymer composite nga mga materyales nga adunay maayo kaayo nga komprehensibo nga mga kabtangan.

Ang Silicon carbide adunay mga kinaiya sa corrosion resistance, taas nga temperatura nga pagsukol, taas nga kalig-on, maayo nga thermal conductivity, impact resistance, ug uban pa Sa samang higayon, kini adunay mga bentaha sa taas nga thermal conductivity, oxidation resistance, ug maayo nga thermal stability.

Gigamit sa mga tigdukiduki ang silicon carbide ingon usa ka thermal conductive filler aron pun-on ang epoxy, ug nakit-an nga ang nano-silicon carbide makapauswag sa pag-ayo sa epoxy resin, ug ang mga partikulo sa silicon carbide mas lagmit nga mahimong usa ka thermal conduction path o thermal network chain sa sulod sa resin system. , pagkunhod sa internal void ratio sa epoxy resin ug pagpaayo sa epoxy resin.Ang mekanikal ug thermal conductivity sa materyal.

Ang ubang mga pagtuon migamit silane coupling agent, stearic acid ug ang ilang kombinasyon isip modifiers aron tun-an ang mga epekto sa lain-laing modifiers sa solid content, oil absorption value ug thermal conductivity sa β-SiC powder.Ang mga resulta sa eksperimento nagpakita nga ang epekto sa pagbag-o sa KH564 sa silane coupling agent mas klaro;pinaagi sa pagtuon sa stearic acid ug sa kombinasyon sa duha ka nawong modifiers, ang mga resulta nagpakita nga ang kausaban epekto mao ang dugang nga milambo itandi sa usa ka modifier, ug ang katig-a mao ang mas taas.Ang epekto sa fatty acid ug KH564 mas maayo, ug ang thermal conductivity moabot sa 1.46 W/(m·K), nga 53.68% mas taas kay sa unmodified β-SiC ug 20.25% mas taas kay sa single KH564 modification.

Sa ibabaw para sa imong pakisayran lamang, ang mga detalye nanginahanglan sa imong pagsulay, salamat.