Cubic Silicon Carbide Whabersusa ka taas nga -sreth beard -happe (usa -Dimensional) Monolithic, nga adunay daghang maayo kaayo nga mekanikal nga mga kabtangan sama sa taas nga gitas-on ug taas nga modelo. Kini kaylap nga gigamit sa mga materyales nga nakabase sa metal ug ceramic nga nakabase sa composite. Panguna kini nga gigamit sa taas nga sangkap sa highermpeur nga natad sa mga kasangkapan sa seramik, ang natad sa wanang, nagdala, dagkong mga bomba sa lapok, ug uban pa.

Physical Caractistics: Kini usa ka klase nga cubic crystal, nga mao ang parehas nga klase nga kristal nga diamante.

Mga Kinaiya sa Chemical: Anti-Sold, taas nga temperatura sa temperatura, labi na ang kainit sa pagbatok sa shock, resistensya sa pagkalisud, pagsukol sa radiation.

Aplikasyon: Taas nga pagtapos sa seramik nga pagdala, hulmahan, high-boltahe nga pagpabuto, taas nga resistensya sa temperatura, ug uban pa.

Ang Silicon Carbide adunay usa ka istruktura nga kristal nga diamante. Tungod kini sa mga elemento sa carbon ug silicon nga nagporma sa mga SICK. Sakup sila sa elemento sa SP sa iva sa lamesa sa siklo sa elemento. Kung kini nga mga elemento naghimo sa mga kristal nga dagko nga kalig-on sa SP3, adunay usa ka lig-on nga covalent key, ang pagtino sa mga karakter sa presyo, ang Silicon Carbide adunay usa ka kusog nga kusog ug mekanikal nga kusog. Ang kagabhion sa Mobs sa SIC nakaabot sa 9.5, ikaduha ra sa diamante. Ang Cubic Sic Whiskers adunay mas taas nga katig-a, modulus, kusog nga kusog ug taas nga temperatura sa temperatura kaysa sa ubang mga whiskers nga materyal.

Si Sic Whisker parehas nga gipang-apod-apod sa materyal nga materyal sa lawas ingon ang ikaduha nga mga partikulo sa hugna, nga mahimong katumbas sa lawas nga maayo. Human maporma ang taas nga temperatura, tungod kay ang thermal expansion coefficient sa kristal ug ang materyal sa lawas magkalainlain, ang strucite interface sa CRACTAL ANCUFECTION sa CRACTAL ANTERFACT, ang stress sa strapta nga natapos sa CRACTAL ANTRACTION sa CRACAL ANTERFACE. Pagsuhop sa gawas nga stress. Niining paagiha, ang mga whisker sa SIC mahimong makapugong sa dugang nga pagpalapad sa micro -cracks pinaagi sa "Bridge Countert", nga "Crystal Epekto", nga "Guba nga mga epekto sa kristal", sa ingon nga pag-uswag sa mga epekto "ug" pag-ayo sa mga epekto sa kristal ", Ang composite nga materyal adunay taas nga pagkagahi ug mga mekanikal nga kabtangan. Tungod kay ang mga kristal nga si SIC kinahanglan adunay maayo nga kalig-on sa taas nga temperatura, ang gipalambo ug labi ka labi nga mga materyal nga mga gamit sa mekanikal kung 1000 ° C.

Cubic Silicon Carbide Whabersmahimong gamiton ingon nga gipalambo nga Materail sa plastic matrix, metal matrix o seramik nga substrate aron mapalambo ug mapalig-on. Ang hataas nga thermal giya, taas nga pagkakabig sa mga materyales sa SIC, substrate alang sa dagko nga -cale nga nahiusa nga mga sirkito sa mga materyales sa electronics. Ingon usa ka kasayuran nga optical nga materyal, adunay taas nga kantidad sa aplikasyon sa natad sa display sa TV, modernong komunikasyon, ug network.

Ang Carbonic Silicon Carbide Whumbide maayo kaayo nga materyal sa pagpaayo alang sa metal, ug polymer colymer base nga komposit.