Ang Boron carbide (kemikal nga pormula B4C) usa ka hilabihan ka gahi nga seramik nga materyal nga gigamit sa tangke nga armor, bulletproof vests ug daghang mga aplikasyon sa industriya.Ang katig-a sa Mohs mao ang 9.3, ug kini ang ikalima nga labing gahi nga nahibal-an nga sangkap pagkahuman sa diamante, cubic boron nitride, fullerene compound ug diamante monolithic tubes.

Mga kabtangan sa B4C

1) Ang labing importante nga performance sa boron carbide anaa sa iyang talagsaon nga katig-a (Mohs katig-a sa 9.3), nga mao ang ikaduha lamang sa diamante ug cubic boron nitride, ug mao ang labing maayo nga taas nga temperatura wear-resistant nga materyal;

(2) Ang densidad sa boron carbide gamay kaayo, nga mao ang pinakagaan sa mga seramik nga materyales ug mahimong gamiton sa aerospace field;

(3) Ang Boron carbide adunay kusog nga kapasidad sa pagsuyup sa neutron.Kung itandi sa lunsay nga mga elemento B ug Cd, kini adunay mubu nga gasto, maayo nga pagsukol sa kaagnasan ug maayo nga kalig-on sa kainit.Kini kaylap nga gigamit sa nukleyar nga industriya.Ang boron carbide adunay maayo nga kapasidad sa pagsuyup sa neutron.Dugang nga pag-uswag pinaagi sa pagdugang sa elemento sa B;

(4) Ang boron carbide adunay maayo kaayo nga kemikal nga mga kabtangan.Wala kini reaksyon sa mga asido, alkalis ug kadaghanan sa mga dili organikong compound sa temperatura sa lawak.Hinay-hinay lang kini nga maguba sa sinagol nga hydrofluoric acid-sulfuric acid ug hydrofluoric acid-nitric acid.Kini ang labing lig-on nga kemikal nga kabtangan.Usa sa mga compound;

(5) Ang boron carbide usab adunay mga bentaha sa taas nga punto sa pagkatunaw, taas nga elastic modulus, ubos nga expansion coefficient ug maayo nga kapasidad sa pagsuyup sa oxygen;

(6) Ang boron carbide usa usab ka p-type nga semiconductor nga materyal, nga makapadayon sa mga kinaiya sa semiconductor bisan sa taas kaayo nga temperatura.