0.1-2um, l/d> = 20, hyd: 10-50um silicon carbide sibrwd
Sibrwd silicon carbide
Manyleb:
| Codiff | D500 |
| Alwai | Sibrwd silicon carbide |
| Fformiwla | β-siC-W |
| CAS No. | 409-21-2 |
| Dimensiwn | 0.1-2.5um mewn diamedr, 10-50um o hyd |
| Burdeb | 99% |
| Math Crystal | Beta |
| Ymddangosiad | Wyrddach |
| Pecynnau | 100g, 500g, 1kg neu yn ôl yr angen |
| Ceisiadau posib | Fel asiant atgyfnerthu a chaledu rhagorol, mae sibrwd SIC yn galaru deunyddiau cyfansawdd wedi'i seilio ar fetel, wedi'i seilio ar serameg a pholymer yn helaeth mewn peiriannau, cemegol, amddiffyn, ynni, diogelu'r amgylchedd a meysydd eraill. |
Disgrifiad:
Mae SIC Whisker yn ffibr grisial sengl sy'n canolbwyntio iawn gyda diamedr yn amrywio o nanomedr i ficromedr.
Mae ei strwythur grisial yn debyg i strwythur diemwnt. Ychydig o amhureddau cemegol sydd yn y grisial, dim ffiniau grawn, ac ychydig o ddiffygion strwythur grisial. Mae cyfansoddiad y cyfnod yn unffurf.
Mae gan SIC Whisker bwynt toddi uchel, dwysedd isel, cryfder uchel, modwlws uchel o hydwythedd, cyfradd ehangu thermol isel, ac ymwrthedd gwisgo da, ymwrthedd cyrydiad, ac ymwrthedd ocsidiad tymheredd uchel.
Defnyddir sibrwd SIC yn bennaf mewn cymwysiadau caledu lle mae angen cymwysiadau tymheredd uchel a chryfder uchel.
Cyflwr storio:
Dylid storio sibrwd silicon carbid (β-SIC-W) mewn lle wedi'i selio, osgoi golau, sych. Mae storio tymheredd yr ystafell yn iawn.
SEM:
