Mae diamedr nanowires carbid silicon yn gyffredinol yn llai na 500Nm, a gall y hyd gyrraedd cannoedd o μm, sydd â chymhareb agwedd uwch na chwisgwyr carbid silicon.

Mae nanowires carbid silicon yn etifeddu priodweddau mecanyddol amrywiol ddeunyddiau swmp silicon carbid a hefyd mae ganddynt lawer o eiddo sy'n unigryw i ddeunyddiau dimensiwn isel. Yn ddamcaniaethol, mae modwlws yr ifanc o un SiCNWS tua 610 ~ 660gpa; Gall y cryfder plygu gyrraedd 53.4gpa, sydd tua dwywaith cryfder Sic Whiskers; Mae'r cryfder tynnol yn fwy na 14GPA.

Yn ogystal, gan fod SIC ei hun yn ddeunydd lled -ddargludyddion bandgap anuniongyrchol, mae'r symudedd electron yn uchel. Ar ben hynny, oherwydd ei faint graddfa nano, mae nanowires sice yn cael effaith maint bach a gellir ei ddefnyddio fel deunydd goleuol; Ar yr un pryd, mae sic-NWS hefyd yn dangos effeithiau cwantwm a gellir eu defnyddio fel deunydd catalytig lled-ddargludyddion. Mae gan wifrau carbid silicon nano botensial cymhwysiad ym meysydd allyriadau caeau, atgyfnerthu a chadarnhau deunyddiau, supercapacitors, a dyfeisiadau amsugno tonnau electromagnetig.

Ym maes allyriadau caeau, oherwydd bod gan wifrau nano SiC ddargludedd thermol rhagorol, lled bwlch band sy'n fwy na 2.3 eV, a pherfformiad allyriadau maes rhagorol, gellir eu defnyddio mewn sglodion cylched integredig, dyfeisiau microelectroneg gwactod, ac ati.
Defnyddiwyd nanowires carbid silicon fel deunyddiau catalydd. Gyda dyfnhau ymchwil, maent yn cael eu defnyddio'n raddol mewn catalysis ffotocemegol. Mae arbrofion yn defnyddio nanowires carbid silicon i gynnal arbrofion cyfradd catalytig ar acetaldehyd, a chymharu amser dadelfennu asetaldehyd gan ddefnyddio pelydrau uwchfioled. Mae'n profi bod gan nanowires silicon carbide briodweddau ffotocatalytig da.

Gan y gall wyneb nanowires SiC ffurfio ardal fawr o strwythur haen ddwbl, mae ganddo berfformiad storio ynni electrocemegol rhagorol ac fe'i defnyddiwyd mewn supercapacitors.