Diameteren af ​​siliciumcarbid nanotråde er generelt mindre end 500nm, og længden kan nå hundredvis af μm, hvilket har et højere aspektforhold end siliciumcarbid whiskers.

Siliciumcarbid nanotråde arver de forskellige mekaniske egenskaber af siliciumcarbid bulkmaterialer og har også mange egenskaber, der er unikke for lavdimensionelle materialer. Teoretisk set er Youngs modul for en enkelt SiCNW'er omkring 610~660GPa; bøjningsstyrken kan nå 53.4GPa, hvilket er omkring det dobbelte af SiC whiskers; trækstyrken overstiger 14GPa.

Da SiC i sig selv er et indirekte båndgab-halvledermateriale, er elektronmobiliteten høj. På grund af dens nanoskalastørrelse har SiC nanotråde desuden en lille størrelseseffekt og kan bruges som et selvlysende materiale; samtidig viser SiC-NW'er også kvanteeffekter og kan bruges som et katalytisk halvledermateriale. Nano-siliciumcarbidtråde har anvendelsespotentiale inden for feltemission, forstærknings- og hærdningsmaterialer, superkondensatorer og elektromagnetiske bølgeabsorptionsenheder.

Inden for feltemission, fordi nano SiC-tråde har fremragende termisk ledningsevne, en båndgabbredde større end 2,3 eV og fremragende feltemissionsydelse, kan de bruges i integrerede kredsløbschips, vakuummikroelektroniske enheder osv.
Siliciumcarbid nanotråde er blevet brugt som katalysatormaterialer. Med uddybningen af ​​forskningen bliver de gradvist brugt i fotokemisk katalyse. Der er eksperimenter med siliciumcarbid nanotråde til at udføre katalytiske hastighedsforsøg på acetaldehyd og sammenligne tidspunktet for acetaldehyds nedbrydning ved hjælp af ultraviolette stråler. Det beviser, at siliciumcarbid nanotråde har gode fotokatalytiske egenskaber.

Da overfladen af ​​SiC nanotråde kan danne et stort område med dobbeltlagsstruktur, har den fremragende elektrokemisk energilagringsydelse og er blevet brugt i superkondensatorer.