Txina Vanadio Dioxidoa Nanopartikulak VO2 nano hautsa Txinako fabrika-prezioa fabrikatzaile eta hornitzaile |Hongwu

Banadio dioxidoaren nanopartikulak VO2 nano hautsa Txinako fabrika-prezioa

Deskribapen laburra:

VO2 fasearen trantsizioa kristal-egituran eta energia-bandaren egituran aldaketekin batera dator, propietate optiko eta elektrikoetan bat-bateko aldaketak eraginez.Optikoki infragorrien transmisioaren eta errefrakzio-indizearen bat-bateko aldaketa gisa adierazten da, eta elektrikoki erresistentzia-koefizientearen (TCR) bat-bateko aldaketa gisa adierazten da.Ezaugarri hau erabiliz, VO2 filma leiho adimendun optikoetan, etengailu elektro-optikoetan, laser bidezko babes-filmetan eta infragorrietan erabiltzen da Eremuak, hala nola material ezkutu moldagarriak, aplikazio aukera zabalak dituzte.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

VO2 Vanadio dioxidoaren nanohautsak

Zehaztapena:

Kodea	P501
Izena	Banadio dioxidoaren nanohautsak
Formula	VO2
CAS zenbakia.	12036-21-4
Partikula Tamaina	100-200 nm
Garbitasuna	%99,9
Kristal mota	Monoklinikoa
Itxura	Beltza iluna
Paketea	100g, 500g, 1kg edo behar bezala
Aplikazio potentzialak	Gailu termikoak, gailu fotosentsibleak, etengailu fotoelektrikoak, infragorrien detekzioa Sentikortasun handiko tentsio-sentsorea eta energia biltegiratzea eta beste eremu batzuk

Banadio dioxidoaren nanopartikulak VO2 nano hautsa Txinako fabrika-prezioa

Deskribapena:

VO2 Vanadio dioxidoaren nanohautsek metal erdieroaleen fase-trantsizio-ezaugarri bikainak dituzte eta aplikaziorako aukera ona dute.Bere fase-aldaketaren tenperatura 68 ℃ da.Fase-aldaketaren aurretik eta ondoren egitura-aldaketak argi infragorriaren eraldaketa itzulgarria dakar transmisiotik islapenera.Ezaugarri horren arabera, tenperatura kontrolatzeko film adimentsuak prestatzeko eremuan aplikatzen da.

VO2 Banadio dioxidoa materialaren munduan bere faseko trantsizio azkar eta bortitzagatik bereizten da, banadio dioxidoaren propietate eroaleek aplikazio potentzial ugari izan ditzakete gailu optikoetan, gailu elektronikoetan eta gailu optoelektronikoetan.

Biltegiratzeko egoera:

Banadio dioxidoa (VO2) nanohautsak itxita gorde behar dira, leku argi eta lehorra saihestu.Giro-tenperatura biltegiratzea ondo dago.

SEM eta XRD: