Piikarbidin nanolankojen halkaisija on yleensä alle 500 nm ja pituus voi olla satoja μm, jolla on suurempi kuvasuhde kuin piikarbidin viiksillä.

Piikarbidin nanolangat perivät piikarbidin bulkkimateriaalien erilaiset mekaaniset ominaisuudet ja niillä on myös monia ominaisuuksia, jotka ovat ainutlaatuisia pieniulotteisille materiaaleille. Teoreettisesti yksittäisen SiCNW:n Youngin moduuli on noin 610 ~ 660 GPa; taivutuslujuus voi olla 53,4 GPa, mikä on noin kaksinkertainen SiC-viirusten; vetolujuus ylittää 14 GPa.

Lisäksi, koska piikarbidi itsessään on epäsuora bandgap-puolijohdemateriaali, elektronien liikkuvuus on suuri. Lisäksi piikarbidin nanolangoilla on nanokokonsa vuoksi pieni kokovaikutus ja niitä voidaan käyttää luminoivana materiaalina; samalla SiC-NW:t osoittavat myös kvanttiefektejä ja niitä voidaan käyttää puolijohdekatalyyttinä. Nanopiikarbidilangoilla on sovelluspotentiaalia kenttäsäteilyn, vahvistus- ja karkaisumateriaalien, superkondensaattoreiden ja sähkömagneettisen aallon absorptiolaitteiden aloilla.

Kenttäpäästöjen alalla nano SiC -langoilla on erinomainen lämmönjohtavuus, yli 2,3 eV:n kaistanleveys ja erinomainen kenttäemissiokyky, joten niitä voidaan käyttää integroitujen piirien siruissa, tyhjiömikroelektronisissa laitteissa jne.
Katalyyttimateriaaleina on käytetty piikarbidin nanolankoja. Tutkimuksen syvenemisen myötä niitä aletaan vähitellen käyttää fotokemiallisessa katalyysissä. On olemassa kokeita piikarbidin nanolangoilla katalyyttisen nopeuden kokeiden suorittamiseksi asetaldehydillä ja asetaldehydin hajoamisajan vertailuun ultraviolettisäteilyn avulla. Se osoittaa, että piikarbidin nanolangoilla on hyvät fotokatalyyttiset ominaisuudet.

Koska piikarbidin nanolankojen pinta voi muodostaa suuren alueen kaksikerroksisesta rakenteesta, sillä on erinomainen sähkökemiallinen energian varastointikyky ja sitä on käytetty superkondensaattoreissa.