Chine Tungstène dopé nano oxyde de vanadium pour les fabricants et les fournisseurs de température de transition de phase inférieure |Hongwu

Nano oxyde de vanadium dopé au tungstène pour une température de transition de phase inférieure

Brève description:

VO2 est un oxyde métallique à variante de phase, ainsi que la résistivité et la transmission infrarouge de la mutation, cette caractéristique fait que le vo2 a une bonne perspective d'application dans de nombreux domaines, mais a également quelques problèmes est que la température de transition de phase de vo2 reste élevée, donc Tungstène le nano oxyde de vanadium dopé est un moyen majeur de réduire la température de changement de phase vo2.Vous pouvez choisir : 1. Nano VO2 dopé 1 % de tungstène 2. Nano VO2 dopé 1,5 % de tungstène 3. Nano VO2 dopé 2 % de tungstène 4. Poudre Nano VO2 pure

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Détail du produit

Nano oxyde de vanadium dopé au tungstène pour une température de transition de phase inférieure

Spécification:

Code	WP501
Nom	Nanopoudres de dioxyde de vanadium dopées au tungstène
Formule	W-VO2
N ° CAS.	12036-21-4
La taille des particules	100-200nm
Pureté	99,9 %
Type de cristal	Monoclinique
Apparence	Noir foncé
Emballer	100g, 500g, 1kg ou au besoin
Applications potentielles	Il a une large gamme d'applications dans les domaines deFilm de gradation de bâtiment, matériaux de thermistance, matériaux de commutateur photoélectrique, composants d'imagerie infrarouge

Description:

Le dioxyde de vanadium est un matériau thermochromique.La température de transformation du dioxyde de vanadium pur est de 68℃, ce qui a été confirmé par des chercheurs du monde entier.De plus, la température de transformation de phase de VO2 peut être modifiée en dopant du nano tungstène. À savoir, la température de transition de phase peut être réduite à température ambiante en dopant du tungstène.
L'application principale
Fenêtre intelligente avec réglage automatique de la température ;
film de protection laser;
Détecteur infrarouge ;
Matériaux de stockage de données optiques, etc.
Par pulvérisation magnétron, des films minces de VO2 de résistance variant de deux ordres de grandeur ont été obtenus sur des tranches de silicium. Les propriétés électriques des films ont été testées.Les résultats montrent que la température de transition de phase du film de dioxyde de vanadium dopé au tungstène est inférieure à celle du film de dioxyde de vanadium pur, et la transmittance dans le proche infrarouge du film de dioxyde de vanadium dopé au tungstène est également réduite.

Condition de stockage:

Ce produit doit être stocké dans un environnement sec, frais et hermétique, ne peut pas être exposé à l'air, conserver dans un endroit sombre.en outre devrait éviter la forte pression, selon le transport de marchandises ordinaire.

MEB & XRD :