Promjer nanowiresa silicijuma karbida uglavnom je manji od 500 nm, a duljina može doseći stotine µM, što ima viši omjer od silicijuma karbida.

Silicij-karbidni nanowires nasljeđuju različita mehanička svojstva masanih materijala silicij-karbida, a također imaju i mnoga svojstva jedinstvena za materijale s niskim dimenzijama. Teoretski, Youngov modul jednog sicnws iznosi oko 610 ~ 660GPa; Snaga savijanja može doseći 53,4GPA, što je otprilike dvostruko više od sic Whiskera; Vučna čvrstoća prelazi 14GPA.

Osim toga, budući da je sam SiC neizravni materijal BandGap Semiconductor, pokretljivost elektrona je visoka. Nadalje, zbog veličine nano skale, SIC nanovore imaju efekt male veličine i mogu se koristiti kao luminescentni materijal; Istodobno, SIC-NWS također pokazuje kvantne efekte i može se koristiti kao poluvodički katalitički materijal. Nano silicij karbidne žice imaju potencijal primjene u poljima emitiranja polja, materijala za ojačanje i ojačanje, superkapacitora i uređaja za apsorpciju elektromagnetskih valova.

U polju emisije na terenu, budući da nano sic žice imaju izvrsnu toplinsku vodljivost, širinu pojasa veća od 2,3 eV i izvrsne performanse emisije na terenu, one se mogu koristiti u integriranim čipovima kruga, vakuum mikroelektronskim uređajima itd.
Nanowires silicij -karbida korištene su kao materijali za katalizator. Uz produbljivanje istraživanja, oni se postupno koriste u fotokemijskoj katalizi. Postoje eksperimenti koji koriste nanowire od silicijuma karbida za provođenje katalitičkih eksperimenata na acetaldehidu i uspoređivanje vremena dekompozicije acetaldehida pomoću ultraljubičastih zraka. To dokazuje da nanowires silicij -karbida imaju dobra fotokatalitička svojstva.

Budući da površina SIC nanowire može formirati veliko područje dvoslojne strukture, ima izvrsne performanse skladištenja elektrokemijske energije i korištena je u superkondenzatorima.