Lachin faktori ekipman pou HW-D500C SiCNWs manifaktirè nanofil carbure Silisyòm ak founisè |Hongwu

Faktori ekipman pou HW-D500C SiCNWs nanofil carbure Silisyòm

Deskripsyon kout:

Nan konpoze òdinè matris seramik, HW-D500C SiCNWs nanofil carbure Silisyòm mwens pase 10wt% yo jeneralman ajoute. Nan pwosesis la nan optimize espesifik, li rekòmande yo kòmanse soti nan 1wt% ak piti piti eksperyans ak optimize.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Faktori ekipman pou HW-D500C SiCNWs nanofil carbure Silisyòm

Spesifikasyon:

Kòd	D500C
Non	Silisyòm carbure nanofil
Fòmil	SICNW yo
Nimewo CAS	409-21-2
Dyamèt & Longè	D <500nm L 50-100um
Pite	99%
Kalite kristal	kib
Aparans	gri vèt
Pake	10g, 50g, 100g, 200g oswa jan sa nesesè
Aplikasyon potansyèl yo	Ranfòse ak ranforsi materyèl konpoze, Matris metal ak konpoze matris seramik ranfòse ak ranforsi pa nanofil carbure Silisyòm yo te lajman itilize nan machin, endistri chimik, defans nasyonal, enèji, pwoteksyon anviwònman ak lòt jaden.

Deskripsyon:

Pwopriyete fizik nanofil carbure Silisyòm:

Kib kristal, ki se yon kalite kristal ki sanble ak dyaman.Li se yon sèl kristal ki genyen yon sèl dimansyon ak gwo fòs ak fòm bab.Li gen anpil ekselan pwopriyete mekanik tankou gwo fòs ak modil segondè, ki se youn nan pi bon materyèl ranfòse ak solid.

Pwopriyete chimik nan nanofil carbure Silisyòm:

Mete rezistans, rezistans tanperati ki wo, rezistans chòk espesyal, rezistans korozyon, rezistans radyasyon.

Prensipal direksyon aplikasyon nan nanofil carbure Silisyòm:

1.SIC nanofil / konpoze matris seramik: SIC / TIC / WC / ALN / SI3N4 / TIN / AL2O3 / ZRO2 / ZRB2 elatriye

2.SIC nanofils / metal matris konpoze: AL / TI / NI elatriye

3.SIC nanofil / polymère ki baze sou konpoze: Nylon / résine / kawotchou / plastik elatriye

Dispèsyon ak kantite aditif nan SiC nanofil:

Dispèsyon ak kantite aditif nan SiC nanofil (pou referans sèlman)
Medya dispèsyon rekòmande: dlo deyonize, dlo distile, etanòl anidrid, ethylene glycol
Rekòmande dispersant: Polyethylene imine (PEI), nonionic polyacry lamide (PAM), sodyòm pyrophosphate (SPP), twain 80, Silisyòm konpoze ajan kouple, polyethylene glycol, sodyòm hexametaphosphate, sodyòm karboksimetil seluloz (CMC), elatriye.
Nan konpoze òdinè matris seramik, nanofil carbure Silisyòm mwens pase 10wt% jeneralman ajoute.Nan pwosesis la nan optimize espesifik, li rekòmande yo kòmanse soti nan 1wt% ak piti piti eksperyans ak optimize.Dapre pratik la eksperimantal, pi wo kantite lajan an ajoute se pa nesesèman pi bon an, li se ki gen rapò ak materyèl la anvan tout koreksyon, gwosè materyèl, tanperati SINTERING, rezonab kantite lajan ajoute ka jwenn pi bon efè a sevè.

Apre melanje sispansyon SiC nanowire dispèse ak poud seramik, kontinye dispèse pou 1-12 èdtan.se dispèsyon moulen chaplèt oswa metòd vibran mekanik rekòmande.Metòd fraisage boul la fasil pou lakòz nanofil yo kraze.

Si melanje nanofil SiC ak materyèl matris yo pa tèlman bon, yo ka ajoute hexametaphosphate sodyòm nan mas 1% nan SiCNW (oswa yon ti kantite izopropanol / etanòl) kòm yon dispersant amelyore inifòmite nan melanje.

Apre dispèse, sèk ak dezidratasyon ta dwe fèt imedyatman.Vide sispansyon an nan yon veso ki gen yon zòn gwo gaye li mens, epi ogmante zòn nan pral evapore ak dezidrate fasil.Li pi enpòtan pou evite delaminasyon nan matyè premyè ant nanofil yo ak matris la.Tanperati siye rekòmande a se 110-160 ℃.

SEM: