Dyamèt nanofil carbure Silisyòm se jeneralman mwens pase 500nm, ak longè a ka rive jwenn dè santèn de μm, ki gen yon rapò aspè ki pi wo pase moustach carbure Silisyòm.

Nanofil carbure Silisyòm eritye divès kalite pwopriyete mekanik nan materyèl esansyèl carbure Silisyòm epi tou li gen anpil pwopriyete inik nan materyèl ki ba dimansyon. Teyorikman, modil Young nan yon sèl SiCNWs se sou 610 ~ 660GPa; fòs koube a ka rive nan 53.4GPa, ki se apeprè de fwa nan moustach SiC; fòs rupture a depase 14GPa.

Anplis de sa, depi SiC tèt li se yon materyèl semiconductor bandgap endirèk, mobilite elektwon an wo. Anplis, akòz gwosè nano echèl li yo, nanofil SiC gen yon efè ti gwosè epi yo ka itilize kòm yon materyèl luminesan; an menm tan an, SiC-NW yo montre tou efè pwopòsyon epi yo ka itilize kòm yon materyèl katalitik semi-conducteurs. Nano Silisyòm fil carbure gen potansyèl aplikasyon nan domèn emisyon jaden, ranfòsman ak ranfòsman materyèl, supercapacitors, ak aparèy absòpsyon vag elektwomayetik.

Nan jaden an nan emisyon jaden, paske fil nano SiC yo gen ekselan konduktiviti tèmik, yon lajè espas ki pi gran pase 2.3 eV, ak ekselan pèfòmans emisyon jaden, yo ka itilize nan chips sikwi entegre, aparèy mikwo-elektwonik vakyòm, elatriye.
Nanofil carbure Silisyòm yo te itilize kòm materyèl katalis. Avèk grandisan nan rechèch, yo piti piti yo te itilize nan kataliz fotochimik. Gen eksperyans ki itilize nanofil carbure Silisyòm pou fè eksperyans pousantaj katalitik sou asetaldeyid, epi konpare tan an nan dekonpozisyon asetaldeyid lè l sèvi avèk reyon iltravyolèt. Li pwouve ke nanofil carbure Silisyòm gen bon pwopriyete fotokatalitik.

Depi sifas nanofil SiC ka fòme yon gwo zòn nan estrikti doub-kouch, li gen ekselan pèfòmans depo enèji elektwochimik e li te itilize nan supercapacitors.