Specifichedi swcnt:
1. Diametro: 2nm2. Purività: CNT: 91%3. Lunghezza: 1-2UM OR5-20UM
Applicazione di SWCNT:
I nanotubi di carbonio a parete singola SWCNT possono essere visti come un singolo strato di grafite attorno all'asse centrale dell'angolo dell'elica arricciati alcuni tubi cavi senza soluzione di continuità fatti. Angoli diversi e curl di curvatura determinano le diverse proprietà della parete singola. I nanotubi di carbonio a parete singola metallica hanno eccellenti proprietà elettriche, la loro conduttività elettrica può essere 2-3 ordini di grandezza superiori al rame, il filo metallico, le celle solari, il touch screen, l'elettronica e altri aspetti di nano altamente conduttivo elettrodo trasparente con un circuito ad alto livello, che un circuito ad alto contenuto di elemiche con un circuito ad alto livello, si prevede che un circuito ad alto contenuto di elettroni, si prevede che un circuito ad alto livello di elemiche con il circuito di alta sicurezza, si prevede che un circuito ad alto contenuto di elettroni, si prevede che un circuito ad alta sensibilità di elettrodi, che un circuito di elettrodi di elettro-a-conduttore, si prevede che un circuito ad alta sensibilità, si prevede che un circuito ad alto livello, si prevede che un circuito ad alta sensibilità elettronica, si prevede che un circuito ad alta sensibilità di elettro-elemica, si prevede un circuito di elettrodi a livello semiconduttore. Dispositivi nano-elettronici ad alte prestazioni, transistor dell'effetto sul campo e fabbricazione di circuiti integrati nano, quindi ha una buona prospettiva. Dalla scoperta di nanotubi di carbonio a parete singola, è stato a lungo considerato uno dei contendenti della prossima generazione di dispositivi nanoelettronici più promettenti. Finora, è stato dimostrato che i nanotubi di carbonio a parete singola vengano utilizzati per la produzione di una varietà di dispositivi di memoria, display, diodi emessi alla luce, circuito dell'oscillatore ad anello, pellicole e sensori conduttivi trasparenti. Ma le prestazioni del dispositivo per la preparazione del materiale hanno anche fatto molti requisiti difficili. Nei metodi di preparazione, deve essere nanotubi di carbonio a parete singola, regole di morfologia singola e controllata, ma ha anche un'alta densità e una lunghezza appropriata. Sul materiale stesso, i nanotubi di carbonio a parete singola e il tipo di metallo semiconduttore devono essere separati prima, ma non l'esistenza di danni e inquinamento.
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