טמפרטורת המעבר שלב שלטונגסטן מסומם ונדיום דו חמצני(W-VO2) תלוי בעיקר בתוכן טונגסטן. טמפרטורת המעבר הספציפית שלב עשויה להשתנות בהתאם לתנאי הניסוי ובקומפוזיציות הסגסוגת. באופן כללי, ככל שתכולת הטונגסטן עולה, טמפרטורת המעבר שלב של ונדיום דו חמצני פוחתת.

הונגוו מספק מספר קומפוזיציות של W-VO2 וטמפרטורות המעבר המתאימות שלהם:

VO2 טהור: טמפרטורת מעבר שלב היא 68 מעלות צלזיוס.

1% VO2 מסומם W VO2: טמפרטורת המעבר שלב היא 43 מעלות צלזיוס.

1.5% VO2 מסומם W VO2: טמפרטורת המעבר שלב היא 30 מעלות צלזיוס.

2% VO2 מסומם W VO2: טמפרטורת המעבר שלב נעה בין 20 ל- 25 מעלות צלזיוס.

יישומים של דו תחמוצת ונדיום מסומם של טונגסטן:

1. חיישני טמפרטורה: סמים של טונגסטן מאפשר התאמה של טמפרטורת המעבר שלב של ונדיום דו חמצני, ומאפשר לו להציג מעבר מבודד מתכת בסמוך לטמפרטורת החדר. זה הופך את VO2 מסומם של טונגסטן המתאים לחיישני טמפרטורה כדי לפקח על שינויי טמפרטורה בטווח טמפרטורה ספציפי.

2. וילונות וזכוכית חכמה: ניתן להשתמש ב- VO2 מסומם של טונגסטן ליצירת וילונות מתכווננים וזכוכית חכמה עם העברת אור לשליטה. בטמפרטורות גבוהות, החומר מציג שלב מתכתי עם ספיגת אור גבוהה והעברה נמוכה, ואילו בטמפרטורות נמוכות, הוא מציג שלב בידוד עם העברה גבוהה וספיגת תאורה נמוכה. על ידי התאמת הטמפרטורה, ניתן להשיג שליטה מדויקת על העברת אור.

3. מתגים ומודולטורים אופטיים: ניתן להשתמש בהתנהגות המעבר של מבדיקת המתכת של דו תחמוצת ונדיום מסוממת טונגסטן עבור מתגים ומודולטורים אופטיים. על ידי התאמת הטמפרטורה, ניתן לאפשר אור לעבור דרך או חסום, מה שמאפשר מיתוג ואפנון של אות אופטי.

4. מכשירים תרמו -אלקטרוניים: סמים של טונגסטן מאפשר התאמה הן של המוליכות החשמלית והן של המוליכות התרמית של ונדיום דו חמצני, מה שהופך אותו להתאים להמרה תרמו -אלקטרית יעילה. ניתן להשתמש ב- VO2 מסומם של טונגסטן כדי לייצר מכשירים תרמו-אלקטרוניים בעלי ביצועים גבוהים לקציר אנרגיה והמרה.

5. מכשירים אופטיים אולטרה-פסטים: וונדיום דו-חמצני מסומם של טונגסטן מדגים תגובה אופטית אולטרה-פסטית במהלך תהליך מעבר שלב. זה הופך אותו למתאים לייצור מכשירים אופטיים אולטרה -פסטים, כמו מתגים אופטיים אולטרה -פסטים ומודולי לייזר.