როდესაც მზის შუქი ეცემა ობიექტის ზედაპირს, ობიექტი ძირითადად შთანთქავს ინფრაწითელ შუქის ენერგიას მისი ზედაპირის ტემპერატურის გასაზრდელად, ხოლო ახლო ინფრაწითელი სინათლის ენერგია შეადგენს მზის მთლიანი ენერგიის 50%-ს.ზაფხულში, როდესაც მზე ანათებს ობიექტის ზედაპირზე, ზედაპირის ტემპერატურამ შეიძლება მიაღწიოს 70-80℃.ამ დროს ინფრაწითელი შუქი უნდა აირეკლოს ობიექტის ზედაპირის ტემპერატურის შესამცირებლად;როდესაც ზამთარში ტემპერატურა დაბალია, სითბოს შესანარჩუნებლად საჭიროა ინფრაწითელი სინათლის გადაცემა.ანუ, საჭიროა ინტელექტუალური ტემპერატურის კონტროლის მასალა, რომელსაც შეუძლია ასახოს ინფრაწითელი შუქი მაღალ ტემპერატურაზე, მაგრამ გადასცემს ინფრაწითელ შუქს დაბალ ტემპერატურაზე და გადასცემს ხილულ სინათლეს ერთდროულად, რათა დაზოგოს ენერგია და დაიცვას გარემო.
ვანადიუმის დიოქსიდი (VO2) არის ოქსიდი, რომელსაც აქვს ფაზის შეცვლის ფუნქცია 68°C-მდე.საფიქრებელია, რომ თუ VO2 ფხვნილის მასალა ფაზის შეცვლის ფუნქციით შეერთდება საბაზისო მასალაში და შემდეგ შერეულია სხვა პიგმენტებთან და შემავსებლებთან, შეიძლება შეიქმნას კომპოზიციური ინტელექტუალური ტემპერატურის კონტროლის საფარი VO2-ზე დაფუძნებული.მას შემდეგ, რაც ობიექტის ზედაპირი დაფარულია ამ სახის საღებავით, როდესაც შიდა ტემპერატურა დაბალია, ინფრაწითელი შუქი შეიძლება შევიდეს ინტერიერში;როდესაც ტემპერატურა იზრდება კრიტიკული ფაზის გადასვლის ტემპერატურამდე, ხდება ფაზის ცვლილება და ინფრაწითელი სინათლის გამტარობა მცირდება და შიდა ტემპერატურა თანდათან მცირდება;როდესაც ტემპერატურა გარკვეულ ტემპერატურამდე ეცემა, VO2 განიცდის საპირისპირო ფაზის ცვლილებას და ინფრაწითელი სინათლის გამტარიანობა კვლავ იზრდება, რითაც ხდება ტემპერატურის ინტელექტუალური კონტროლი.ჩანს, რომ ინტელექტუალური ტემპერატურის კონტროლის საფარების მომზადების გასაღები არის VO2 ფხვნილის მომზადება ფაზის შეცვლის ფუნქციით.
68℃ ტემპერატურაზე VO2 სწრაფად იცვლება დაბალი ტემპერატურის ნახევარგამტარული, ანტიფერომაგნიტური და MoO2-ის მსგავსი დამახინჯებული რუტილის მონოკლინიკური ფაზადან მაღალტემპერატურულ მეტალის, პარამაგნიტურ და რუტილულ ტეტრაგონალურ ფაზაში, ხოლო შიდა VV კოვალენტური ბმა იცვლება ეს არის ლითონის ბმა. , რომელიც წარმოადგენს მეტალურ მდგომარეობას, მკვეთრად ძლიერდება თავისუფალი ელექტრონების გამტარობის ეფექტი და მნიშვნელოვნად იცვლება ოპტიკური თვისებები.როდესაც ტემპერატურა უფრო მაღალია, ვიდრე ფაზის გარდამავალი წერტილი, VO2 არის მეტალის მდგომარეობაში, ხილული სინათლის რეგიონი რჩება გამჭვირვალე, ინფრაწითელი შუქის რეგიონი ძლიერ ამრეკლავია და მზის გამოსხივების ინფრაწითელი სინათლის ნაწილი დაბლოკილია გარეთ, და გადაცემა ინფრაწითელი შუქი მცირეა;როდესაც წერტილი იცვლება, VO2 არის ნახევარგამტარულ მდგომარეობაში და ხილული შუქიდან ინფრაწითელ სინათლემდე რეგიონი ზომიერად გამჭვირვალეა, რაც საშუალებას აძლევს მზის გამოსხივების უმეტესობას (მათ შორის ხილული და ინფრაწითელი შუქი) შევიდეს ოთახში მაღალი გამტარიანობით, და ეს ცვლილება არის შექცევადი.
პრაქტიკული გამოყენებისთვის, ფაზის გადასვლის ტემპერატურა 68°C ჯერ კიდევ ძალიან მაღალია.როგორ შევამციროთ ფაზის გადასვლის ტემპერატურა ოთახის ტემპერატურამდე, ეს არის პრობლემა, რომელიც ყველას აინტერესებს.ამჟამად, ფაზის გადასვლის ტემპერატურის შემცირების ყველაზე პირდაპირი გზა დოპინგია.
ამჟამად, დოპირებული VO2-ის მომზადების მეთოდების უმეტესობა არის უნიტარული დოპინგი, ანუ დოპინგი ხდება მხოლოდ მოლიბდენის ან ვოლფრამის დოპინგი, და არსებობს რამდენიმე ცნობა ორი ელემენტის ერთდროული დოპინგის შესახებ.ერთდროულად ორი ელემენტის დოპინგს შეუძლია არა მხოლოდ შეამციროს ფაზის გადასვლის ტემპერატურა, არამედ გააუმჯობესოს ფხვნილის სხვა თვისებები.