Кремний карбидінің наноөткізгіштерінің диаметрі әдетте 500 нм-ден аз, ал ұзындығы кремний карбиді мұрттарына қарағанда жоғары арақатынасы бар жүздеген мкм-ге жетуі мүмкін.

Кремний карбидінің наноөткізгіштері кремний карбидінің сусымалы материалдарының әртүрлі механикалық қасиеттерін мұра етеді, сонымен қатар шағын өлшемді материалдарға тән көптеген қасиеттерге ие. Теориялық тұрғыдан алғанда, бір SiCNWs Янг модулі шамамен 610~660GPa; иілу беріктігі 53,4ГПа жетуі мүмкін, бұл SiC мұртынан екі есе көп; созылу күші 14ГПа-дан асады.

Сонымен қатар, SiC өзі жанама жолақты жартылай өткізгіш материал болғандықтан, электрондардың қозғалғыштығы жоғары. Оның үстіне, нано масштабты өлшеміне байланысты SiC нано сымдары шағын өлшемді әсерге ие және люминесцентті материал ретінде пайдаланылуы мүмкін; сонымен бірге SiC-NW-тер де кванттық әсерлерді көрсетеді және жартылай өткізгіш каталитикалық материал ретінде пайдаланылуы мүмкін. Нанокремний карбидті сымдар өріс эмиссиясы, күшейтетін және қатайтатын материалдар, суперконденсаторлар және электромагниттік толқындарды сіңіру құрылғылары салаларында қолдану мүмкіндігіне ие.

Өріс эмиссиясы саласында, nanoSiC сымдары тамаша жылу өткізгіштікке, жолақ ені 2,3 эВ-тан жоғары және өрістің тамаша сәулелену өнімділігіне ие болғандықтан, оларды интегралдық микросхемаларда, вакуумдық микроэлектрондық құрылғыларда және т.б.
Кремний карбидінің наноөткізгіштері катализатор материалдары ретінде қолданылды. Зерттеудің тереңдеуімен олар бірте-бірте фотохимиялық катализде қолданыла бастады. Сірке альдегидінде каталитикалық жылдамдық эксперименттерін жүргізу және ультракүлгін сәулелерді пайдалана отырып, сірке альдегидінің ыдырау уақытын салыстыру үшін кремний карбидінің нано сымдарын қолданатын эксперименттер бар. Ол кремний карбидінің наноөткізгіштерінің жақсы фотокаталитикалық қасиеттері бар екенін дәлелдейді.

SiC нано сымдарының беті қос қабатты құрылымның үлкен аймағын құра алатындықтан, ол электрохимиялық энергияны сақтаудың тамаша өнімділігіне ие және суперконденсаторларда қолданылады.