Indium oxide គឺជាសម្ភារៈមុខងារ semiconductor ថ្លាប្រភេទ n ថ្មី ដែលមានគម្លាតធំទូលាយ ធន់តូច និងសកម្មភាពកាតាលីករខ្ពស់។ នៅពេលដែលទំហំភាគល្អិតអុកស៊ីដ indium ឈានដល់កម្រិតណាណូម៉ែត្រ បន្ថែមពីលើមុខងារខាងលើ វាក៏មានបន្ថែមលើឥទ្ធិពលលើផ្ទៃ ឥទ្ធិពលទំហំកង់ទិច ផលប៉ះពាល់ទំហំតូច និងឥទ្ធិពលនៃផ្លូវរូងក្រោមដី macroscopic quantum នៃ nanomaterials, nano-indium oxide ត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុង ឧបករណ៍ optoelectronic កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ អេក្រង់គ្រីស្តាល់រាវ និងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាឧស្ម័ន។

ការពិសោធន៍ក្រដាសបង្ហាញថាឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាឧស្ម័នដែលផលិតដោយ In2O3 nanoparticles មានភាពប្រែប្រួលខ្ពស់ចំពោះឧស្ម័នជាច្រើនដូចជាអាល់កុល HCHO NH3 ជាដើម។ ពេលវេលាឆ្លើយតបគឺតិចជាង 20 វិនាទី ហើយរយៈពេលនៃការស្តារឡើងវិញគឺទាបជាង 30 វិនាទី។