1. បំពង់ nanotubes Boron nitride មានឥរិយាបទជាអ៊ីសូឡង់អគ្គិសនី និងមានកម្លាំងល្អ ស្ថេរភាពអគ្គិសនី និងកម្ដៅ ដែលធ្វើឱ្យពួកវាមានការរំពឹងទុកយ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងវិស័យសម្ភារៈសមាសធាតុមេកានិច អុបតូអេឡិចត្រូនិច អេឡិចត្រូនិច និងឧបករណ៍ណាណូ។

2. បំពង់ nanotubes Boron nitride មិនត្រឹមតែមានចរន្តកំដៅខ្ពស់ និងធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែថែមទាំងមានស្ថេរភាពកម្ដៅខ្ពស់ និងលក្ខណៈសម្បត្តិគីមីមានស្ថេរភាព ដែលធ្វើឱ្យឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក boron nitride nanotubes នៅក្នុងបរិយាកាសដ៏អាក្រក់ដូចជា សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងថាមពលខ្ពស់ ប្រទេសចិនមានការរំពឹងទុកកម្មវិធីល្អ .

3. ដោះស្រាយបញ្ហាការរលាយកំដៅនៃផលិតផលអេឡិចត្រូនិច។ សម្ភារៈផ្សំដែលមានមូលដ្ឋានលើអេផូស៊ីស៊ីអ៊ីតដែលមានអ៊ីសូឡង់អគ្គិសនី និងរលាយកំដៅដែលមានផ្ទុកសារធាតុ boron nitride nanotubes (BNNT) ផ្តល់នូវដំណោះស្រាយសម្រាប់ផលិតផលអេឡិចត្រូនិកដែលរួមបញ្ចូលគ្នាយ៉ាងខ្ពស់ ខ្នាតតូច ពហុមុខងារ និងទម្ងន់ស្រាល។

4. បំពង់ nanotubes Boron nitride មាន biocompatibility ល្អ។ Boron nitride nanotubes អាចត្រូវបានប្រើជា nanocarriers និង nanosensors ក្នុងវិស័យជីវវេជ្ជសាស្ត្រ។

5. ក្នុងនាមជាសម្ភារៈរចនាសម្ព័ន្ធដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ boron nitride nanotubes (BNNT) មានស្ថេរភាពកម្ដៅ និងគីមីប្រសើរជាងកាបូន nanotubes (CNT) ។ Boron nitride nanotubes អាច​ត្រូវ​បាន​ប្រើ​ជា​សម្ភារៈ​រចនាសម្ព័ន្ធ​ទម្ងន់​ស្រាល​ដើម្បី​ការពារ​វិទ្យុសកម្ម។

6. ក្នុងនាមជាសម្ភារៈគម្លាតធំទូលាយ បំពង់ nanotubes semiconductor boron nitride មានលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តដ៏ល្អ និងភាពអសកម្មគីមីល្អ។ ពួកវាជាសម្ភារអេឡិចត្រូនិចដ៏ល្អមួយសម្រាប់ផលិតឧបករណ៍ និងសៀគ្វីដែលមានភាពជឿជាក់ខ្ពស់។ បំពង់ nanotubes Boron nitride ជាទូទៅបង្ហាញលក្ខណៈសម្បត្តិអគ្គិសនីដែលមានស្ថេរភាព និងជាប់លាប់។ ការយល់ដឹងអំពីសារធាតុ doping នៃ boron nitride nanotubes និងការជំរុញលក្ខណៈសម្បត្តិ semiconductor របស់ពួកគេក៏ជាគន្លឹះក្នុងការសម្រេចបាននូវការអនុវត្តទ្រង់ទ្រាយធំនៃសម្ភារៈនេះ។

7. បំពង់ nanotubes របស់ Boron nitride ដែលប្រើក្នុងសម្ភារវិស្វកម្មគឺស្រដៀងទៅនឹងបេតុងពង្រឹងដែក ដែលធ្វើអោយផ្នែកមានកម្លាំងខ្ពស់ជាងនៅលើមូលដ្ឋានស្រាលជាងមុន។