1%텅스텐 도핑된 이산화바나듐 분말 W-VO2 입자

간단한 설명:

1% 텅스텐 도핑된 이산화바나듐 분말(W-VO2 입자)은 순수 VO2 분말(68℃)보다 상전이 온도(약 45℃)가 낮습니다. 텅스텐의 다양한 도핑으로 상전이 온도를 약 20℃의 실온으로 조정할 수 있습니다.


제품 세부정보

1%텅스텐 도핑된 이산화바나듐 분말 W-VO2 입자

텅스텐 도핑된 이산화바나듐 분말의 사양:

입자 크기: 5-6um

순도: 99%+

색깔: 회색빛이 도는 검정색

텅스텐 도핑 비율: 1~2% 범위에서 조정 가능

상전이 온도: 약 20-68℃에서 조절 가능

관련 자료: 순수 VO2 나노분말

W 도핑된 이산화바나듐(W-VO2) 분말의 적용:

나노이산화바나듐(VO2)은 미래 전자산업의 혁신적 소재로 주목받고 있습니다. 주요 특성 중 하나는 실온에서는 절연체이지만 온도가 68℃보다 높으면 원자 구조가 실온 결정 구조에서 금속으로 변경된다는 것입니다. MIT(금속 절연체 전이)로 알려진 이 고유한 특성은 차세대 저전력 전자 장치용 실리콘을 대체할 수 있는 이상적인 후보입니다.

현재 광전자소자에 VO2 물질을 적용하는 방법은 주로 박막상태이며, 전기변색소자, 광스위치, 마이크로배터리, 에너지절약코팅, 스마트윈도우, 마이크로볼로메트릭소자 등 다양한 분야에 성공적으로 적용되고 있다. 이산화바나듐의 전도성은 광학 장치, 전자 장치 및 광전자 장치에 광범위한 응용 가능성을 제공합니다.

왜 텅스텐 도핑을 하는가?

위상 변화를 낮추려면상전이 온도.

보관 조건:

W-VO2 분말은 건조하고 서늘한 환경에 밀봉하여 보관해야 하며 빛을 피하여 보관해야 합니다.

W-VO2의 DSC(2%W-VO2의 DSC)


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