깨끗하고 재생 가능한 에너지의 발전은 우리나라의 사회 경제 발전을위한 주요 전략입니다. 모든 수준의 새로운 에너지 기술에서 전기 화학 에너지 저장은 매우 중요한 위치를 가지고 있으며 현재 과학 연구에서도 뜨거운 문제이기도합니다. 새로운 유형의 2 차원 구조 전도성 물질로서, 그래 핀의 적용은이 분야에서 중요한 중요성과 큰 개발 가능성을 갖는다.

그래 핀은 또한 가장 관련이있는 새로운 재료 중 하나입니다. 그 구조는 두 개의 대칭 중첩 하위 격자로 구성됩니다. 이종 원자와의 도핑은 대칭 구조를 깨고 물리적 특성을 조절하는 중요한 방법입니다. 질소 원자는 탄소 원자의 크기에 가까운 크기를 가지며 그래 핀의 격자로 도핑되기가 비교적 쉽다. 따라서, 질소 도핑은 그래 핀 물질의 연구에서 중요한 역할을한다. 도핑과의 치환은 성장 공정 동안 그래 핀의 전자 특성을 변화시키는 데 사용될 수있다.

      질소로 도핑 된 그래 핀에너지 밴드 갭을 열고 전도도 유형을 조정하고 전자 구조를 변경하며 자유 캐리어 밀도를 증가시켜 그래 핀의 전도성 및 안정성을 향상시킬 수 있습니다. 또한, 그래 핀의 탄소 그리드에 질소 함유 원자 구조의 도입은 그래 핀 표면에 흡착 된 활성 부위를 증가시켜 금속 입자와 그래 핀 사이의 상호 작용을 향상시킬 수있다. 따라서, 에너지 저장 장치에 대한 질소-도핑 된 그래 핀의 적용은보다 우수한 전기 화학적 성능을 가지며, 고성능 전극 재료 일 것으로 예상된다. 기존의 연구에 따르면 질소 도핑 된 그래 핀은 용량 특성, 빠른 전하 및 방전 능력 및 에너지 저장 재료의주기 수명을 크게 향상시킬 수 있으며 에너지 저장 분야에서 큰 응용 잠재력을 가지고 있습니다.

질소 도핑 된 그래 핀

질소-도핑 된 그래 핀은 그래 핀의 기능화를 실현하는 중요한 방법 중 하나이며, 응용 분야를 확장하는 데 중요한 역할을합니다. N- 도핑 된 그래 핀은 용량 특성, 빠른 충전 및 방전 기능 및 에너지 저장 재료의 사이클 수명을 크게 향상시킬 수 있으며, 수퍼 커패시터, 리튬 이온, 리튬 황 및 리튬 공기 배터리와 같은 화학 에너지 저장 시스템에서 큰 응용 가능성을 갖습니다.

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