상전이 온도는텅스텐 첨가 이산화바나듐(W-VO2)는 주로 텅스텐 함량에 따라 달라집니다. 구체적인 상전이 온도는 실험 조건 및 합금 조성에 따라 달라질 수 있습니다. 일반적으로 텅스텐 함량이 증가할수록 이산화바나듐의 상전이온도는 감소한다.

HONGWU는 W-VO2의 여러 구성과 해당 상전이 온도를 제공합니다.

순수 VO2: 상전이 온도는 68°C입니다.

1% W 도핑된 VO2: 상전이 온도는 43°C입니다.

1.5% W 도핑된 VO2: 상전이 온도는 30°C입니다.

2% W 도핑된 VO2: 상전이 온도 범위는 20~25°C입니다.

텅스텐 첨가 이산화바나듐의 응용:

1. 온도 센서: 텅스텐 도핑을 통해 이산화바나듐의 상전이 온도를 조정할 수 있어 실온 근처에서 금속-절연체 전이를 나타낼 수 있습니다. 따라서 텅스텐이 첨가된 VO2는 특정 온도 범위 내에서 온도 변화를 모니터링하는 온도 센서에 적합합니다.

2. 커튼 및 스마트 유리: 텅스텐이 첨가된 VO2를 사용하면 빛 투과율을 조절할 수 있는 커튼과 스마트 유리를 만들 수 있습니다. 고온에서 이 물질은 높은 광흡수율과 낮은 투과율을 갖는 금속상을 나타내는 반면, 저온에서는 높은 투과율과 낮은 광흡수율을 갖는 절연상을 나타냅니다. 온도를 조절하면 빛 투과율을 정밀하게 제어할 수 있습니다.

3. 광 스위치 및 변조기: 텅스텐이 첨가된 이산화바나듐의 금속-절연체 전이 거동은 광 스위치 및 변조기에 활용될 수 있습니다. 온도를 조절하면 빛을 통과시키거나 차단할 수 있어 광신호 전환 및 변조가 가능합니다.

4. 열전 장치: 텅스텐 도핑을 통해 이산화바나듐의 전기 전도도와 열전도도를 모두 조정할 수 있어 효율적인 열전 변환에 적합합니다. 텅스텐이 첨가된 VO2는 에너지 수확 및 변환을 위한 고성능 열전 장치를 제작하는 데 활용될 수 있습니다.

5. 초고속 광학 장치: 텅스텐이 첨가된 이산화바나듐은 상전이 과정에서 초고속 광학 반응을 보여줍니다. 이는 초고속 광 스위치 및 레이저 변조기와 같은 초고속 광학 장치의 제조에 적합합니다.