위상 전이 온도텅스텐 도핑 된 바이나듐 이산화 바다(W-VO2)는 주로 텅스텐 내용에 따라 다릅니다. 특정 상 전이 온도는 실험 조건 및 합금 조성에 따라 달라질 수 있습니다. 일반적으로, 텅스텐 함량이 증가함에 따라, 이산화 바이나듐의 위상 전이 온도는 감소한다.

Hongwu는 W-VO2의 여러 구성 및 해당 상 전이 온도를 제공합니다.

순수한 VO2 : 위상 전이 온도는 68 ° C입니다.

1% W- 도핑 VO2 : 위상 전이 온도는 43 ° C입니다.

1.5% W- 도핑 VO2 : 위상 전이 온도는 30 ° C입니다.

2% W- 도핑 VO2 : 위상 전이 온도 범위는 20 내지 25 ° C입니다.

텅스텐 도핑 된 바이나듐 이산화 바의 응용 :

1. 온도 센서 : 텅스텐 도핑을 통해 이산화 바이나듐의 위상 전이 온도를 조정하여 실온 근처에서 금속 절개 전이를 나타낼 수 있습니다. 이로 인해 텅스텐 도핑 된 VO2는 온도 센서가 특정 온도 범위 내에서 온도 변화를 모니터링하는 데 적합합니다.

2. 커튼과 스마트 유리 : 텅스텐 도핑 된 VO2를 사용하여 조절 가능한 커튼과 제어 가능한 광 투과율이있는 스마트 유리를 만들 수 있습니다. 고온에서, 재료는 높은 광 흡수 및 낮은 투과율을 갖는 금속 상을 나타내며, 저온에서는 높은 투과율 및 저 광 흡수가있는 절연 단계를 나타낸다. 온도를 조정함으로써, 광 투과율에 대한 정확한 제어가 달성 될 수있다.

3. 광학 스위치 및 변조기 : 텅스텐 도핑 된 이산화 바이나듐의 금속 상) 전이 거동은 광 스위치 및 변조기에 이용 될 수있다. 온도를 조정함으로써 광학 신호 스위칭 및 변조를 가능하게하는 빛을 통과하거나 차단할 수 있습니다.

4. 열전 전기 장치 : 텅스텐 도핑은 이산화 바이나듐의 전기 전도도 및 열 전도도를 모두 조정하여 효율적인 열전 전환에 적합합니다. 텅스텐 도핑 된 VO2는 에너지 수확 및 전환을위한 고성능 열전 장치를 제조하는 데 사용될 수 있습니다.

5. 초고파 광학 장치 : 텅스텐 도핑 된 이산화통은 위상 전이 공정 동안 초고속 광학 반응을 보여줍니다. 이를 통해 초고속 광학 스위치 및 레이저 변조기와 같은 초고파 광학 장치의 제조에 적합합니다.