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질소 도핑은 탄소 나노물질 연구의 핵심 변형입니다. 풀러렌, 탄소 나노튜브, 그래핀과 같은 재료의 경우 질소 도핑은 흑연 탄소의 가장자리 또는 벌크 상의 원자 구조를 변경하여 기본 물리화학적 특성을 조절할 수 있습니다.

최근에는 화학기술의 지속적인 발전으로 질소가 도핑된 탄소나노재료의 담체밀도, 표면에너지, 표면반응성의 조절이 크게 향상되어 재료의 응용분야가 넓어지고 있다.

구성 선택적인 질소 도핑은 에너지 촉매 및 저장에 탄소 나노 물질을 적용하는 데 중요합니다. 간단한 액상반응을 통해 고분자, 전이금속, 금속산화물을 비롯한 정전기력, 산화환원 전위차, 반데르발스 힘 등의 약한 분자간 상호작용을 통해 질소가 도핑된 탄소나노물질을 합성할 수 있다. 재료/질화물/황화물, 반도체 양자점 등은 촉매작용, 에너지 저장, 유기광전지, OLED 등에 응용성이 우수합니다. 또한, 질소가 도핑된 탄소나노튜브를 절단하여 전기화학적 반응 하에서 그래핀 나노리본 구조를 형성할 수 있습니다. 산화처리가 가능하며, 도핑밀도, 인가전압, 반응시간 등에 따라 정밀하게 조절이 가능합니다.

저장of99% CNT 다중 벽 탄소 나노튜브:

다중벽 탄소나노튜브밀봉하여 직사광선을 피하고 건조하고 서늘한 환경에 보관해야 합니다.

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