Amûra hêza bilind di dema xebatê de germek mezin çêdike. Ger ew di wextê xwe de neyê derxistin, ew ê bi ciddî performansa qata pêvekirî kêm bike, ku dê bandorê li performans û pêbaweriya modula hêzê bike.

Nano zîvTeknolojiya sinterkirinê teknolojiyek pêwendiya pakkirinê ya germahiya bilind e ku di germahiyek nizm de krema nano-zîv bikar tîne, û germahiya sinterkirinê ji xala helandinê ya zîv-teşe pir kêmtir e. Pêkhateyên organîk ên di pasta nano-zîv de di dema prosesa sinterkirinê de perçe dibin û dihelin, û di dawiyê de qatek pêwendiya zîv çêdikin. Girêdana nano-zîv-zivîn dikare hewcedariyên pakêta modula hêza nîvconductor ya nifşa sêyemîn û hewcedariyên girêdanên germahiya nizm û karûbarê germahiya bilind bicîh bîne. Ew xwedan pêbaweriya germî û pêbaweriya germahiya bilind heye. Ew di pêvajoya çêkirina cîhaza hêzê de bi mîqdarên mezin ve hatî sepandin. Kremê Nano-zîv xwedan guheztinek baş e, welding germahiya nizm, pêbaweriya bilind, û performansa karûbarê germahiya bilind heye. Naha ew materyalê pêwendiya welding-germahiya nizm ya herî potansiyel e. Ew bi berfirehî di pakêta LED-ya hêza GAN-based, cîhaza hêza MOSFET û cîhaza hêza IGBT de tê bikar anîn. Amûrên nîvconduktorê hêzê bi berfirehî di modulên ragihandinê yên 5G, pakkirina LED, Înterneta Tiştan, modulên asmanî, wesayîtên elektrîkê, rêwîtiya rêhesin û hesinî ya bilez, hilberîna hêza fotovoltaîk a rojê, hilberîna hêza bayê, torên biaqil, kelûmelên malê yên biaqil û qadên din de têne bikar anîn. .

Li gorî raporan, çîpek ronahiyê ku ji toza zîvê ya 70nm ji bo materyalê danûstendina germî hatî çêkirin dikare germahiya xebatê ya sarincokê bigihîje 0,01 heya 0,003K, û karîgerî dikare% 30 ji ya materyalên kevneşopî bilindtir be. Bi lêkolîna naverokên cihêreng ên madeya blokê ya nano-zîv dopkirî (BI, PB) 2SR2CA2CU3OX, tê dîtin ku dopîngkirina nano-zîv xala helînê ya materyalê kêm dike û TC-ya bilind lez dike (TC ji germahiya krîtîk re, ango ji Rewşa normal berbi rewşa superconductive Çêbûna berxwedanê winda dibe).

Materyalên dîwarê germkirinê ji bo nano zîv ji bo cîhazên sarincokê bi germahiya kêm dikare germahiyê kêm bike û germahiyê ji 10mkj berbi 2mk kêm bike. Hucreya rojê ya yek-krîstal a silicon waferê ku pelika zîvê hildiweşîne dikare rêjeya veguherîna termal zêde bike.