Beta Silicon Carbide Particle SiC Nanopowder Used pro Absorbenti
Beta Silicon Carbide Particle SiC Nanopowder Used pro Absorbenti
Specificatio:
| Code | D501-D509 |
| Nomen | Pii carbide nano pulveris |
| Formulae | Sic |
| CAS Non. | 409-21-2 |
| Magnitudo particula | 50-60nm, 100-300nm, 300-500nm, 1-15um |
| Puritas | 99% |
| Crystal Type | Cubic |
| Aspectus | Cinereo |
| sarcina | 100g, 500g, 1kg, 10kg, 25kg |
| Applicationes potentiale | scelerisque conductio, efficiens, tellus, catalyst, elc. |
Descriptio:
Carbide Pii optimam habet stabilitatem chemicam et proprietates undas bonas effusio, et fontes materiales amplis et humilis sumptus habet, et magnas applicationes exspectationes in agro fluctus effusio habet.
SiC est materia semiconductor cum bona caliditatis stabilitate, resistentia chemicae corrosio, resistentia oxidationis egregia et coëfficientis expansionis minoris scelerisque.Est exquisitissima caliditas bibulas domi et foris.
Beta ilicon carbide (SiC) pulveris ut unda absorbentis duas formas pulveris et fibrarum maxime includit.
Magna specifica area superficiei, quae polarizationem interfaciei amplificationem ducens, munus magni ponderis agit in parametris electromagneticis emendandis et impedimento matching
SiC applicatio agrorum parti- culorum nano;
1. Coing material field: military material field;Proin apparatu agri
2. Ager radiorum indumentum praesidium
3 Engineering materia plastica agri
Repono Condition:
Pii Carbide (SiC) pulveres obsignandos conponantur, ne lucem, locum siccum devitent.Locus temperatus repono est ok.