Specificatio:
Code | D501-D509 |
Nomen | Pii carbide nano pulveris |
Formulae | Sic |
CAS Non. | 409-21-2 |
Magnitudo particula | 50-60nm, 100-300nm, 300-500nm, 1-15um |
Puritas | 99% |
Crystal Type | Cubic |
Aspectus | Cinereo |
sarcina | 100g, 500g, 1kg, 10kg, 25kg |
Applicationes potentiale | scelerisque conductio, efficiens, tellus, catalyst, elc. |
Descriptio:
Carbide Silicon egregiam habet stabilitatem chemicam et proprietates undae bonas effusio, et fontes materiales et parvos sumptus amplis habet, et magnas applicationes exspectationes in agro undae effusio habet.
SiC est materia semiconductor cum stabilitate caliditatis bonae, resistentia corrosionis chemica, resistentia oxidationis optima, et coëfficientis expansionis minoris scelerisque. Est exquisitissima caliditas bibulas domi et foris.
Beta ilicon carbide (SiC) pulveris ut unda absorbentis duas formas pulveris et fibrarum maxime includit.
Magna specifica area superficiei, quae polarizationem interfaciei amplificationem ducens, munus magni ponderis agit in parametris electromagneticis emendandis et impedimento matching
SiC applicatio agrorum parti- culorum nano;
1. Coing material field: military material field; Proin apparatu agri
2. Ager radiorum indumentum praesidium
3 Engineering materia plastica agri
Repono Condition:
Pii Carbide (SiC) pulveres obsignandos conponantur, ne lucem, locum siccum devitent. Locus temperatus repono est ok.