1. Boron nitride nanotubes ut insulator electricae agunt, et bonam fortitudinem, electricam et scelerisquerum stabilitatem habent, et latas applicationes exspectationes habent in campis materiis compositis mechanicis, optoelectronics, electronicis et nanodevicibus.

2. Boron nitrida nanotubes non solum altam scelerisque conductivity et oxidationis resistentiam habent, sed etiam altam stabilitatem chemicae stabilitatis et stabilis habent, quae fabricas boron nitrides nanotubes electronicas in asperis ambitibus facit, sicut caliditas et magna potentia Sinarum bonam applicationem prospectus habet. .

3. Solve problema dissipationis caloris electronicarum productorum. Electrice insulating et epoxy-calo-dissipante fundato composita materias continentes boron nitridum nanotubes (BNNT) solutiones praestantibus productis electronicis valde integratis, miniaturised, multifunctionalibus et leve ponderis electronicarum instrumentis praebent.

Boron nitride nanotubes bonam habent biocompatibilitatem. Boron nitrida nanotubes uti possunt pro nanocarri et nanosensori in agro biomedicino.

5. Cum materia structuris summus temperatus, boron nitrida nanotubes (BNT) melius scelerisque et chemicae stabilitatem habent quam carbo nanotubae (CNT). Boron nitrida nanotubes adhiberi possunt ut materiae structurae leves ad radiorum scutum.

6. Cum ampla materia interstitium fasciculum, boron nitride semiconductor nanotubes optimas physicas proprietates et inertiam chemicam bonam habent. Sunt unum specimen materiae electronicae ad fabricandas summus certas machinas et circuitus. Boron nitride nanotubes plerumque stabilia et constantes electricas proprietates exhibent. Animadvertens dopingem nitridum nanotubum et semiconductorium earum proprietates suas inducens clavis est etiam ad applicationes magnas huius materiae assequendas.

7. Nanotubes nitride Boron adhibentur in materiis machinandis similes ferro concreto muniti, quae partes superiores vires in leviore fundamento habent.