ZnO est materia semiconductor N-typus cum magna strophio cohortis (3.37eV) et excitatio alta energiae ligaturae (60 meV), mobilitas alta electronicorum et conductivity scelerisque.Simul, etiam facultatem praeparandi habet utilitates humilis sumptus, non-toxicity, leve pondus et turpitudo.Materia functionis sicut prospectus latissime patet.Amplis applicationes in campis sensus gasi, lucidi, catalysis, etc. Eodem tempore oxydatum zinci magnum dielectricum constantem in campo electromagnetico habet.Optimum damnum dielectric et semiconductor effectus, est optima materia fluctus absorbentis.
Proin effusio effectus saepe refertur ad complexam permeabilitatem materialem, multiplicitatem permittivity et impedimentum adaptionis.Hi parametri compositione, morphologia, magnitudine, etc.
Studia invenerunt quosdam ZnO peculiari morphologia tendere ut proprietates melius absorbentis ostenderet
Doping cum transeuntibus metallis in ZnO, vel componens cum materiae carbonis fundamento absorbentis egregiam observantiam aliarum materiarum absorbentium inducere potest.

Superius opiniones sunt ab inquisitoribus ad solam referentiam tuam, accurata applicationis probatio, gratiarum actio tua indiget.