Spezifizéierung:
Code | D501-D509 |
Numm | Siliziumkarbid Nanopulver |
Formel | SiC |
CAS Nr. | 409-21-2 |
Partikelgréisst | 50-60nm, 100-300nm, 300-500nm, 1-15um |
Rengheet | 99% |
Crystal Typ | Kubik |
Ausgesinn | Grey-gréng |
Package | 100 g, 500 g, 1 kg, 10 kg, 25 kg |
Potential Uwendungen | Wärmeleitung, Beschichtung, Keramik, Katalysator, asw. |
Beschreiwung:
Silicon Carbide huet exzellent chemesch Stabilitéit a gutt Wellenabsorptiounseigenschaften, an huet eng breet Palette vu Materialquellen a niddrege Käschten, an huet super Uwendungsperspektiven am Feld vun der Wellenabsorptioun.
SiC ass e Hallefleitmaterial mat gudder Héichtemperaturstabilitéit, chemescher Korrosiounsbeständegkeet, exzellenter Oxidatiounsbeständegkeet an engem nidderegen thermesche Expansiounskoeffizient.Et ass dee meescht studéierten Héichtemperaturabsorbent doheem an am Ausland.
Beta Iliciumkarbid (SiC) Pulver als Wellenabsorber enthält haaptsächlech zwou Forme vu Pudder a Faser.
Grouss spezifesch Uewerfläch, déi zu enger verstäerkter Interface Polariséierung féiert, spillt eng wichteg Roll bei der Verbesserung vun elektromagnetesche Parameteren an Impedanzmatching
D'Applikatiounsfelder vun Nano SiC Partikelen:
1. Beschichtungsmaterialfeld: Militärmaterialfeld;Mikrowellenausrüstungsfeld
2. D'Beräich vun Stralung Schutz Kleeder
3. Engineering Plastik Terrain
Stockage Zoustand:
Silicon Carbide (SiC) Pulver sollen an engem versiegeltem gespäichert ginn, vermeiden liicht, dréchen Plaz.Raumtemperatur Lagerung ass ok.