Sëlwer Nanowires Tëntbesteet aus Sëlwer Nanowires, Polymer Bindemëttel, an deioniséiertem Waasser, bilden en transparenten Ag Nanowires-leitend Netzwierk op engem flexiblen Substrat nom Baken, an e liicht Streuende Medium ass am Sëlwer Nanowire-leitend Netzwierk agebonnen.Also gëtt e flexibelen transparenten konduktiven Film geformt.D'Typ, d'Konzentratioun, d'Gréisst an aner Parameteren vum Liichtstreetmedium kënnen d'Niwwel Upassung vun der finaler transparenter Elektrode realiséieren.Déi transparent Elektrode, déi duerch d'Beschichtung vun der Nano-Sëlwerdrahttënt kritt gëtt, kann seng gutt Konduktivitéit, héich Liichttransmittance behalen a gläichzäiteg den Zweck vum justierbarem Niwwel z'erreechen.Déi préparéiert Produkter kënnen an Touchscreens a Displaypanelen an aner Felder benotzt ginn, wou niddereg Haze gewënscht ass, a kënnen och an Dënnfilm Solarzellepanneauen benotzt ginn, wou transparent Elektroden erwaart ginn datt se relativ héich Haze hunn.

D'Virbereedung vunSëlwer Nanowire Tëntmuss op déi folgend Punkten oppassen:
1. Virun allem muss d'Dispersibilitéit vu Sëlwer Nanowire geléist ginn fir hir Agglomeratioun oder Fusioun ze verhënneren;
2. Et muss e gëeegent filmbildend Substanz sinn, deen d'Sëlwer Nanowire hëllefe kann fir e Film ze bilden, awer wéineg Effekt op d'Resistenz huet;
3. Et muss gutt Beschichtungsleistung hunn fir Schrumpfung a Krabbelen während dem Beschichtungsprozess ze vermeiden;
4. Ajustéiert d'Doséierung vun all Additiv fir d'Transmissioun, d'Niwwel, d'Quadresistenz an aner Indikatoren déi bescht no der Beschichtung z'erreechen.
5. D'Stabilitéit vun der Tënt sollt berücksichtegt ginn fir d'Verschlechterung vun der Tënt ze vermeiden, déi zu Beschichtungsfehler féiert.

D'Sëlwer Nanowire Tënten produzéiert vum Hongwu Nano ass eng transparent konduktiv Tënt, speziell entworf op Basis vu selbst entwéckelte Sëlwer Nanowires (den Drot Duerchmiesser kann tëscht 20nm-100nm ugepasst ginn).Si kënnen op verschiddene Flächen beschichtet ginn, einfach ze benotzen, mat gudder transparenter leitend Leeschtung.