Cubic Silicon Carbide Whiskersass eng héich-Kraaft Baart-shaped (een-zweedimensional) monolithic, déi vill excellent mechanesch Eegeschafte wéi héich-Kraaft an héich Modeller huet.Et gëtt wäit an Metall-baséiert a Keramik-baséiert Kompositmaterialien benotzt.Et ass haaptsächlech an héich-Temperatur Komponente am Beräich vun Keramik Handwierksgeschir benotzt, Beräich vun Weltraum, Lager, grouss Bulli Pompelen, etc.

Kierperlech Charakteristiken: Et ass eng kubesch Kristallstyp, déi deeselwechte Kristallart ass wéi Diamant.

Chemesch Charakteristiken: Anti-Verschleiung, Héichtemperaturbeständegkeet, besonnesch Hëtztschockbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Stralungsbeständegkeet.

Applikatioun: High-End Keramiklager, Schimmel, Héichspannungsbrennen, Héichtemperaturresistenz, asw.

Siliziumkarbid huet eng Diamantkristallstruktur.Dëst ass wéinst de Kuelestoff a Silizium Elementer déi SiCs bilden.Si gehéieren zum SP Element vun IVA am Element Zyklus Dësch.Wann dës Elementer Form Kristaller Grouss Stabilitéit SP3 arrangéiert ass, gëtt et eng zolidd kovalent Schlëssel, déi gemeinsam Präis Charakteristiken an héich Kraaft vun de Schlëssel, Bestëmmung, datt Silicon Carbide bestëmmte Energie a mechanesch Kraaft huet.SIC's MOBS Hardness erreecht 9,5, zweet nëmmen op Diamant.Cubic SiC Whiskers hunn méi héijer Hardness, Modulus, Tensile Stäerkt an héich Temperatur Resistenz wéi aner Whiskers Material.

SiC Whiskers ginn gläichméisseg am dichte Kierpermaterial verdeelt wéi déi zweet Phase Partikelen, déi gutt mam Kierper passen.Nodeems d'Héichtemperatur geformt ass, well den thermesche Expansiounskoeffizient vum Kristall an dem Kierpermaterial anescht ass, ass de Kristall- a Kierpermaterial-Interface-Interface Nom Iwwerschossspannung generéiert, nodeems de Kompositmaterial liicht Rëss ass, ass de Stress vun der Rëss. Enn geet op d'Kristall an d'Matrixentgasung Interface.Absorbéieren externe Stress.Op dës Manéier kënnen d'SiC Whiskers d'weider Expansioun vu Mikro-Rëss duerch "Bréckcouplet", "Crack-Deflection", "Crystal pull out effects" an "broken crystal effects" verhënneren, doduerch de Kierper vum Kierper ze verbesseren an ze verstäerken.De Kompositmaterial huet héich Zähegkeet a mechanesch Eegeschaften.Well SIC Kristalle musse gutt Stabilitéit bei héijen Temperaturen hunn, kënnen hir verstäerkt a méi haart Kompositmaterial nach ëmmer gutt mechanesch Eegeschafte behalen wann 1000 ° C iwwer 1000 ° C.

Cubic Silicon Carbide Whiskerskann als verstäerkte Material a Plastiksmatrix, Metallmatrix oder Keramiksubstrat benotzt ginn fir ze verbesseren an ze verstäerken.Déi héich thermesch Leedung, héich Isolatioun vu SIC Materialien, Substrate fir grouss integréiert Circuiten an der Elektronikindustrie a Packaged Materialien.Als optesch Informatiounsmaterial huet et en héije Applikatiounswäert an de Felder vum Fernsehdisplay, moderner Kommunikatioun an Netzwierk.

Kuelestoff Siliziumkarbid Whiskers si ganz exzellent Verbesserungsmaterial fir metallesch, Keramik a Polymer Polymer Basis Komposit.