Et gi vill nei Technologien an der Materialindustrie, awer wéineg goufen industrialiséiert.Wëssenschaftlech Fuerschung studéiert de Problem vun "vu Null op een", a wat Firme musse maachen ass d'Resultater a Masseproduzent Produkter mat stabiler Qualitéit ze maachen.Hongwu Nano industrialiséiert elo wëssenschaftlech Fuerschungsresultater.Nano Sëlwer Serie Materialien wéi Sëlwer Nanowires sinn déi féierend Produkter vun Hongwu Nano.An de leschte Joeren, Et goufen bedeitend Fortschrëtter an Entwécklung souwuel um Maart Feedback, Produktioun Technologie, Qualitéit an Ausgabe, etc., an d'Perspektiven si ganz optimistesch.Drënner sinn e puer Wëssen vun Nano Sëlwer Drot fir Är Referenz. 

1. Produit Beschreiwung

      Sëlwer Nanowireass eng eendimensional Struktur mat enger horizontaler Limit vun 100 Nanometer oder manner (et gëtt keng Limit an der vertikaler Richtung).D'Sëlwer Nanowires (AgNWs) kënnen a verschiddene Léisungsmëttelen gespäichert ginn wéi deioniséiertem Waasser, Ethanol, Isopropanol, etc.. Den Duerchmiesser rangéiert vun Zénger vun Nanometer bis Honnerte vun Nanometer, an d'Längt kann Zénger vu Mikron erreechen ofhängeg vun de Virbereedungsbedingungen.

2. Virbereedung vun Nano Ag Dréit ofgepëtzt

D'Virbereedungsmethoden vun Ag Nano Drot enthalen haaptsächlech naass chemesch, Polyol, hydrothermesch, Schablounmethod, Somkristallmethod a sou weider.All Method huet seng Virdeeler an Nodeeler.Wéi och ëmmer, déi synthetiséiert Morphologie vun Ag Nanowires huet eng relativ grouss Relatioun mat der Reaktiounstemperatur, Reaktiounszäit a Konzentratioun.

2.1.Effekt vun der Reaktiounstemperatur: Am Allgemengen, wat d'Reaktiounstemperatur méi héich ass, wäert de Sëlwer Nanodraad méi déck ginn, d'Reaktiounsgeschwindegkeet wäert eropgoen an d'Partikelen erofgoen;wann d'Temperatur e bëssen erofgeet, gëtt den Duerchmiesser méi kleng, an d'Reaktiounszäit wäert vill méi laang sinn.Heiansdo wäert d'Reaktiounszäit méi laang sinn.Niddereg Temperaturreaktiounen verursaachen heiansdo Partikel erop.

2.2.Reaktiounszäit: De Basisprozess vun der Synthese vun Nano Sëlwerdraht ass:

1) Synthese vu Somen Kristalle;

2) Reaktioun fir eng grouss Zuel vu Partikelen ze generéieren;

3) Wuesstem vun Sëlwer Nanowires;

4) Verdickung oder Zersetzung vu Sëlwer Nanowires.

Dofir ass et ganz wichteg wéi Dir déi bescht Stoppzäit fënnt.Allgemeng, wann d'Reaktioun méi fréi gestoppt gëtt, gëtt den Nano-Sëlwerdraht méi dënn, awer et ass méi kuerz an huet méi Partikelen.Wann d'Stoppzäit méi spéit ass, wäert d'Sëlwer Nanowire méi laang sinn, d'Korn wäert manner sinn, an heiansdo wäert et merkbar méi déck sinn.

2.3.Konzentratioun: D'Konzentratioun vu Sëlwer an Zousatzstoffer am Prozess vun der Sëlwer Nanowire Synthese hunn e groussen Afloss op d'Morphologie.Am Allgemengen, wann de Sëlwergehalt méi héich ass, wäert d'Synthese vum Ag Nanowire méi déck sinn, den Inhalt vum Nano Ag Drot wäert eropgoen an den Inhalt vu Sëlwerpartikelen wäert och eropgoen, an d'Reaktioun wäert beschleunegen.Wann d'Konzentratioun vu Sëlwer erofgeet, gëtt d'Synthese vum Sëlwer Nano Drot méi dënn, an d'Reaktioun wäert relativ lues sinn.

3. Main Spezifikatioun vun Hongwu Nano's Silver Nanowires:

Duerchmiesser: <30nm, <50nm, <100nm

Längt: >20um

Rengheet: 99,9%

4. Uwendungsfelder vu Sëlwer Nanowires:

4.1.Conductive Felder: transparent Elektroden, Dënn-Film Solarzellen, Smart wearable Apparater, etc .;mat gudder Konduktivitéit, gerénger Resistenzverännerungsrate beim Biegen.

4.2.Biomedizin an antibakteriell Felder: steril Ausrüstung, medizinesch Imaging Ausrüstung, funktionell Textilien, antibakteriell Medikamenter, Biosensoren, etc .;staark antibakteriell, net gëfteg.

4.3.Katalysisindustrie: Mat grousser spezifescher Uewerfläch a méi héijer Aktivitéit ass et e Katalysator fir verschidde chemesch Reaktiounen.

Baséierend op staark Fuerschung an Entwécklung Kraaft, elo Sëlwer Nanowires wässerlech Tënt kann och personaliséiert ginn.Parameteren, wéi Spezifizéierung vun Ag Nanowires, Viskositéit, kënne justierbar sinn.AgNWs Tënt ass einfach ze beschichtet an huet gutt Adhäsioun a geréng Quadratresistenz.