Den Duerchmiesser vu Siliziumkarbid Nanowires ass allgemeng manner wéi 500nm, an d'Längt kann Honnerte vu μm erreechen, wat e méi héicht Aspekt Verhältnis huet wéi Siliziumkarbid Whiskers.

Silicon Carbide Nanowires ierwen déi verschidde mechanesch Eegeschafte vu Siliziumcarbid Bulkmaterialien an hunn och vill Eegeschafte eenzegaarteg zu niddereg-dimensional Materialien. Theoretesch ass de Young's Modul vun engem eenzege SiCNWs ongeféier 610 ~ 660GPa; d'Biegekraaft kann 53.4GPa erreechen, wat ongeféier zweemol dat vu SiC Whiskers ass; der tensile Kraaft iwwerschratt 14GPa.

Zousätzlech, well SiC selwer en indirekte Bandgap Hallefleitmaterial ass, ass d'Elektronmobilitéit héich. Desweideren, wéinst senger Nano Skala Gréisst, SiC Nanowires hunn eng kleng Gréisst Effekt a kann als luminescent Material benotzt ginn; zur selwechter Zäit weisen SiC-NWs och Quanteeffekter a kënnen als hallefleit katalytesch Material benotzt ginn. Nano Silicon Carbide Drot hunn Applikatioun Potential an de Beräicher vun Feld Emissioun, Verstäerkung an toughening Materialien, Supercapacitors, an elektromagnetesch Wellen Absorptioun Apparater.

Am Feld vun der Feldemissioun, well Nano SiC Drot eng exzellent thermesch Konduktivitéit hunn, eng Bandspaltbreet méi wéi 2,3 eV, an eng exzellente Feldemissiounsleistung, kënne se an integréierte Circuitchips, Vakuummikroelektronesch Geräter, etc.
Silicon Carbide Nanowires goufen als Katalysatormaterial benotzt. Mat der Tiefe vun der Fuerschung gi se graduell an der photochemescher Katalyse benotzt. Et ginn Experimenter mat Siliziumkarbid Nanowires fir katalytesch Taux Experimenter op Acetaldehyd ze maachen, an d'Zäit vun der Acetaldehyd Zersetzung mat ultraviolette Strahlen ze vergläichen. Et beweist datt Siliziumkarbid Nanowire gutt photokatalytesch Eegeschaften hunn.

Zënter der Uewerfläch vu SiC Nanowires kann e grousst Gebitt vun der Duebelschichtstruktur bilden, huet et exzellent elektrochemesch Energiespeicherleistung a gouf a Superkondensatoren benotzt.