ຈີນໂຮງງານຜະລິດ HW-D500C SiCNWs silicon carbide nanowires ຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ |Hongwu

ໂຮງງານສະຫນອງ HW-D500C SiCNWs silicon carbide nanowires

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ໃນອົງປະກອບຂອງເຊລາມິກທໍາມະດາ, HW-D500C SiCNWs silicon carbide nanowires ຫນ້ອຍກວ່າ 10wt% ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນເພີ່ມ. ໃນຂະບວນການເພີ່ມປະສິດທິພາບສະເພາະ, ແນະນໍາໃຫ້ເລີ່ມຕົ້ນຈາກ 1wt% ແລະຄ່ອຍໆທົດລອງແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ໂຮງງານສະຫນອງ HW-D500C SiCNWs silicon carbide nanowires

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ:

ລະຫັດ	D500C
ຊື່	nanowires Silicon carbide
ສູດ	SICNWs
CAS No.	409-21-2
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ&ຄວາມຍາວ	D <500nm L 50-100um
ຄວາມບໍລິສຸດ	99%
ປະເພດ Crystal	ກ້ອນ
ຮູບລັກສະນະ	ສີຂຽວສີຂີ້ເຖົ່າ
ຊຸດ	10g, 50g, 100g, 200g ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີທ່າແຮງ	ວັດສະດຸປະສົມເສີມ ແລະ ແຂງ, ໂລຫະມາຕຣິກເບື້ອງ ແລະ ເຊລາມິກ ວັດສະດຸປະກອບທີ່ເສີມ ແລະ ແຂງໂດຍ nanowires silicon carbide ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນເຄື່ອງຈັກ, ອຸດສາຫະກໍາເຄມີ, ການປ້ອງກັນຊາດ, ພະລັງງານ, ການປົກປັກຮັກສາສິ່ງແວດລ້ອມແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.

ລາຍລະອຽດ:

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງ silicon carbide nanowire:

Cubic crystal, ຊຶ່ງເປັນປະເພດຂອງໄປເຊຍກັນຄ້າຍຄືກັນກັບເພັດ.ມັນເປັນໄປເຊຍກັນຫນຶ່ງມິຕິລະດັບທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງແລະຮູບຮ່າງຂອງຈັບຫນວດ.ມັນມີຄຸນສົມບັດກົນຈັກທີ່ດີເລີດຫຼາຍເຊັ່ນ: ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງແລະໂມດູນສູງ, ເຊິ່ງເປັນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນເສີມແລະ toughening ທີ່ດີທີ່ສຸດ.

ຄຸນສົມບັດທາງເຄມີຂອງ nanowires silicon carbide:

ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກພິເສດ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ການຕໍ່ຕ້ານລັງສີ.

ທິດທາງການນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍຂອງ nanowires silicon carbide:

1.SIC nanowires/ceramic matrix composites:SIC/TIC/WC/ALN/SI3N4/TIN/AL2O3/ZRO2/ZRB2 ແລະອື່ນໆ

2.SIC nanowires/metal matrix composites:AL/TI/NI ແລະອື່ນໆ

3.SIC nanowires/polymer ປະກອບ: ໄນລອນ / ຢາງ / ຢາງ / ພາດສະຕິກແລະອື່ນໆ

ປະລິມານການກະຈາຍ ແລະສານເຕີມແຕ່ງຂອງ SiC Nanowires:

ການກະແຈກກະຈາຍແລະປະລິມານເພີ່ມເຕີມຂອງ SiC Nanowires (ສໍາລັບການອ້າງອິງເທົ່ານັ້ນ)
ສື່ກະຈາຍທີ່ແນະນຳ: ນ້ຳ deionized, ນ້ຳກັ່ນ, ເອທານອນທີ່ບໍ່ມີນ້ຳ, ເອທີລີນ glycol
ການກະຈາຍທີ່ແນະນໍາ: Polyethylene imine (PEI), nonionic polyacry lamide (PAM), sodium pyrophosphate (SPP), twain 80, silicon compound coupling agent, polyethylene glycol, sodium hexametaphosphate, sodium carboxymethyl cellulose (CMC), ແລະອື່ນໆ.
ໃນອົງປະກອບຂອງເຊລາມິກທໍາມະດາ, nanowires silicon carbide ຫນ້ອຍກວ່າ 10wt% ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນຖືກເພີ່ມ. ໃນຂະບວນການເພີ່ມປະສິດທິພາບສະເພາະ, ແນະນໍາໃຫ້ເລີ່ມຕົ້ນຈາກ 1wt% ແລະຄ່ອຍໆທົດລອງແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບ.ອີງຕາມການປະຕິບັດການທົດລອງ, ປະລິມານການເພີ່ມທີ່ສູງຂຶ້ນແມ່ນບໍ່ຈໍາເປັນທີ່ດີກວ່າ, ມັນກ່ຽວຂ້ອງກັບວັດຖຸດິບ, ຂະຫນາດຂອງວັດສະດຸ, ອຸນຫະພູມ sintering, ປະລິມານການເພີ່ມທີ່ສົມເຫດສົມຜົນສາມາດໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ toughening ທີ່ດີທີ່ສຸດ.

ຫຼັງຈາກປະສົມສານຂ້າເຊື້ອ SiC nanowire slurry ແລະຜົງເຊລາມິກທີ່ກະແຈກກະຈາຍ, ສືບຕໍ່ກະແຈກກະຈາຍສໍາລັບ 1-12 ຊົ່ວໂມງ.ການກະແຈກກະຈາຍຂອງໂຮງງານ bead ຫຼືວິທີການ stirring ກົນຈັກແມ່ນແນະນໍາໃຫ້.ວິທີການ milling ບານແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ nanowires ແຕກ.

ຖ້າການປະສົມຂອງ SiC nanowires ແລະວັດສະດຸ matrix ບໍ່ດີ, sodium hexametaphosphate ຂອງ 1% ມະຫາຊົນຂອງ SiCNW (ຫຼືຈໍານວນຂະຫນາດນ້ອຍຂອງ isopropanol / ethanol) ສາມາດຖືກເພີ່ມເປັນຕົວກະແຈກກະຈາຍເພື່ອປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການປະສົມ.

ຫຼັງຈາກການກະແຈກກະຈາຍ, ການແຫ້ງແລ້ງແລະການຂາດນ້ໍາຄວນໄດ້ຮັບການປະຕິບັດທັນທີ.ຖອກ slurry ເຂົ້າໄປໃນເຮືອທີ່ມີພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ເພື່ອໃຫ້ມັນບາງໆ, ແລະເພີ່ມທະວີການພື້ນທີ່ຈະ evaporate ແລະ dehydrate ໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍ. ມັນເປັນສິ່ງສໍາຄັນເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການ delamination ຂອງວັດຖຸດິບລະຫວ່າງ nanowires ແລະ matrix ໄດ້.ອຸນຫະພູມແຫ້ງທີ່ແນະນໍາແມ່ນ 110-160 ℃.

SEM: