Cubic Silicon Carbide Whiskersເປັນຫນວດທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ - ຮູບຊົງ (ຫນຶ່ງ - ມິຕິລະດັບ) monolithic, ເຊິ່ງມີຄຸນສົມບັດກົນຈັກທີ່ດີເລີດຈໍານວນຫຼາຍເຊັ່ນ: ຮູບແບບທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງແລະສູງ.ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນວັດສະດຸປະສົມທີ່ອີງໃສ່ໂລຫະແລະເຊລາມິກ.ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນອົງປະກອບຂອງອຸນຫະພູມສູງໃນພາກສະຫນາມຂອງເຄື່ອງມືເຊລາມິກ, ພາກສະຫນາມຂອງຊ່ອງ, ເກິດ, ສູບຕົມຂະຫນາດໃຫຍ່, ແລະອື່ນໆ.

ຄຸນລັກສະນະທາງກາຍະພາບ: ເປັນກ້ອນຫີນປະເພດກ້ອນ, ເປັນແກ້ວປະເພດດຽວກັນກັບເພັດ.

ຄຸນລັກສະນະທາງເຄມີ: ຕ້ານການສວມໃສ່, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ການຕໍ່ຕ້ານລັງສີ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ສູງທີ່ຮັບຜິດຊອບ ceramic, mold, ໄຟແຮງດັນສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງ, ແລະອື່ນໆ.

Silicon carbide ມີໂຄງສ້າງໄປເຊຍກັນເພັດ.ນີ້ແມ່ນເນື່ອງມາຈາກອົງປະກອບຂອງຄາບອນແລະຊິລິໂຄນທີ່ປະກອບເປັນ SiCs.ພວກມັນຂຶ້ນກັບອົງປະກອບ SP ຂອງ IVA ໃນຕາຕະລາງວົງຈອນອົງປະກອບ.ໃນເວລາທີ່ອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ປະກອບໄປເຊຍກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂະຫນາດໃຫຍ່ SP3 ຖືກຈັດລຽງ, ມີກະແຈ covalent ແຂງ, ລັກສະນະລາຄາທົ່ວໄປແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງຂອງກຸນແຈ, ກໍານົດວ່າຊິລິໂຄນ carbide ມີພະລັງງານທີ່ແນ່ນອນແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ.ຄວາມແຂງຂອງ MOBS ຂອງ SIC ບັນລຸເຖິງ 9.5, ເປັນອັນທີສອງຂອງເພັດ.ເຄື່ອງ whiskers Cubic SiC ມີຄວາມແຂງ, ໂມດູນ, ຄວາມທົນທານຂອງ tensile ແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງກ່ວາອຸປະກອນ whiskers ອື່ນໆ.

SiC whiskers ໄດ້ຖືກແຈກຢາຍຢ່າງເທົ່າທຽມກັນໃນອຸປະກອນການຂອງຮ່າງກາຍທີ່ຫນາແຫນ້ນເປັນອະນຸພາກໄລຍະທີສອງ, ເຊິ່ງສາມາດຈັບຄູ່ກັບຮ່າງກາຍໄດ້ດີ.ຫຼັງຈາກອຸນຫະພູມສູງໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ, ເນື່ອງຈາກວ່າຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຂອງໄປເຊຍກັນແລະອຸປະກອນການຂອງຮ່າງກາຍແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ, ໄປເຊຍກັນແລະການໂຕ້ຕອບອຸປະກອນການຮ່າງກາຍຫຼັງຈາກຄວາມກົດດັນເກີນແມ່ນສ້າງຂຶ້ນ, ຫຼັງຈາກອຸປະກອນການປະກອບເປັນຮອຍແຕກເລັກນ້ອຍ, ຄວາມກົດດັນຂອງ crack ໄດ້. end ຂະຫຍາຍໄປເຊຍກັນແລະການໂຕ້ຕອບ matrix.ການດູດຊຶມຄວາມກົດດັນພາຍນອກ.ດ້ວຍວິທີນີ້, ເຄື່ອງປັ່ນປ່ວນ SiC ສາມາດປ້ອງກັນການຂະຫຍາຍ micro-cracks ຕື່ມອີກໂດຍ "ຂົວເຊື່ອມຕໍ່", "ຮອຍແຕກ", "ຜົນກະທົບທີ່ດຶງອອກ" ແລະ "ຜົນກະທົບຂອງຜລຶກທີ່ແຕກຫັກ", ດັ່ງນັ້ນການເສີມແລະເສີມສ້າງຮ່າງກາຍຂອງຮ່າງກາຍ.ວັດສະດຸປະສົມມີຄວາມທົນທານສູງແລະຄຸນສົມບັດກົນຈັກ.ເນື່ອງຈາກວ່າໄປເຊຍກັນ SIC ຕ້ອງມີຄວາມຫມັ້ນຄົງທີ່ດີຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ວັດສະດຸປະສົມທີ່ປັບປຸງແລະແຂງກວ່າຂອງມັນຍັງສາມາດຮັກສາຄຸນສົມບັດກົນຈັກທີ່ດີໄດ້ເມື່ອອຸນຫະພູມ 1000 ° C ສູງກວ່າ 1000 ° C.

Cubic Silicon Carbide Whiskersສາມາດນໍາໃຊ້ເປັນ materail ປັບປຸງໃນ matrix ພາດສະຕິກ, matrix ໂລຫະຫຼື substrate ceramic ເພື່ອເພີ່ມແລະເສີມ.ການຊີ້ນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, insulation ສູງຂອງວັດສະດຸ SIC, substrates ສໍາລັບວົງຈອນປະສົມປະສານຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກແລະວັດສະດຸຫຸ້ມຫໍ່.ໃນຖານະເປັນອຸປະກອນ optical ຂໍ້ມູນຂ່າວສານ, ມັນມີມູນຄ່າການນໍາໃຊ້ສູງໃນຂົງເຂດຂອງການສະແດງໂທລະພາບ, ການສື່ສານທີ່ທັນສະໄຫມ, ແລະເຄືອຂ່າຍ.

whiskers ຊິລິຄອນ carbide ກາກບອນແມ່ນອຸປະກອນການເສີມທີ່ດີເລີດສໍາລັບການປະສົມໂລຫະ, ເຊລາມິກ, ແລະໂພລີເມີໂພລີເມີພື້ນຖານປະສົມ.