സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവീറസിന്റെ വ്യാസം പൊതുവെ 500nm- ൽ കുറവാണ്, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വിസ്കറുകളേക്കാൾ ഉയർന്ന വീക്ഷണാനുപാതകളുള്ള നൂറുകണക്കിന് μm- ൽ എത്തിച്ചേരാനാകും.

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് ബൾക്ക് മെറ്റീരിയലിന്റെ വിവിധ മെക്കാനിക്കൽ ഗുണങ്ങൾ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവീഴ്സിന് അവകാശമുണ്ട്, കൂടാതെ ധാരാളം പ്രോപ്പർട്ടികൾ കുറഞ്ഞ അളവിലുള്ള വസ്തുക്കൾക്കും സമാനമാണ്. സൈദ്ധാന്തികമായി, ഒരൊറ്റ സി.ഇ.ടി.എൻ.ഇ.ഡിയുടെ ഇളയ മോഡുലസ് ഏകദേശം 610 ~ 660 ജിപിഎ; കുനിയുന്ന ശക്തി 53.4 ജിപിഎയിലെത്തും, അത് ഇത്രയും ആകർഷണീയതയുടെ ഇരട്ടിയാണ്; ടെൻസൈൽ ശക്തി 14 ജിപിഎ കവിയുന്നു.

കൂടാതെ, സിഐസി തന്നെ പരോക്ഷമായ ബാൻഡ്ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലക വസ്തുക്കളായതിനാൽ ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റി ഉയർന്നതാണ്. മാത്രമല്ല, അതിന്റെ നാനോ സ്കെയിൽ വലുപ്പം കാരണം, സിഐസി നാനോവീറസിന് ഒരു ചെറിയ വലുപ്പ ഫലമുണ്ട്, മാത്രമല്ല ഒരു ലുമിൻസെന്റ് മെറ്റീരിയലായി ഉപയോഗിക്കാനും കഴിയും; അതേസമയം, Sic-nws നും ക്വാണ്ടം ഇഫക്റ്റുകൾ കാണിക്കുകയും അർദ്ധചാലക കാറ്റലിറ്റിക് മെറ്റീരിയലായി ഉപയോഗിക്കുകയും ചെയ്യാം. നാനോ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വയറിന് ഫീൽഡ് എമിഷൻ, ശക്തിപ്പെടുത്തൽ, ബുദ്ധിമുട്ടുന്ന മെറ്റീരിയലുകൾ, സൂപ്പർകപ്പേജിറ്റർമാർ, ഇലക്ട്രോമാജ്നെറ്റിക് തരംഗം ആഗിരണം എന്നിവയിൽ അപേക്ഷാ ശേഷി ഉണ്ട്.

ഫീൽഡ് എമിഷൻ എന്ന നിലയിൽ, കാരണം നാനോ എസ്ഐസി വയർക്ക് മികച്ച താപ ചായകതയുണ്ട്, ഒരു ബാൻഡ് ഗ്യാപ്പ് വീതി 2.3-ൽ കൂടുതലുള്ളത്, മികച്ച ഫീൽഡ് എമിഷൻ പ്രകടനവും, അവ്യക്തമായ സർക്യൂട്ട് ചിപ്സ്, വാക്വം മൈക്രോ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ മുതലായവ ഉപയോഗിക്കാം.
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവീഴ്സിനെ കാറ്റലിസ്റ്റ് മെറ്റീരിയലുകളായി ഉപയോഗിച്ചു. ഗവേഷണം ആഴത്തിൽ, അവ ക്രമേണ ഫോട്ടോകെമിക്കൽ കാറ്റലൈസലൈസിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു. അസെറ്റാൽഡിഹൈഡിലെ കാറ്റലിറ്റിക് റേറ്റ് പരീക്ഷണങ്ങൾ നടത്താൻ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവീഴ്സുകൾ ഉപയോഗിച്ച് പരീക്ഷണങ്ങളുണ്ട്, കൂടാതെ അൾട്രാവയലറ്റ് കിരണങ്ങൾ ഉപയോഗിച്ച് അസെറ്റൽഡിഹൈഡ് വിഘടിന്റെ സമയം താരതമ്യം ചെയ്യുക. സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവീറസിന് നല്ല ഫോട്ടോകാറ്റലി പ്രോപ്പർട്ടികൾ ഉണ്ടെന്ന് ഇത് തെളിയിക്കുന്നു.

സിഐസി നാനോവീഴ്സിന്റെ ഉപരിതലം ഇരട്ട-പാളി ഘടനയുടെ ഒരു വലിയ പ്രദേശം സൃഷ്ടിക്കുന്നതിനാൽ, ഇതിന് മികച്ച ഇലക്ട്രോകെമിക്കൽ എനർജി സ്റ്റോറേജ് പ്രകടനമുണ്ട്, മാത്രമല്ല സൂപ്പർകാപസേറ്ററുകളിൽ ഇത് ഉപയോഗിച്ചു.