സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവയറുകളുടെ വ്യാസം സാധാരണയായി 500nm-ൽ കുറവാണ്, നീളം നൂറുകണക്കിന് μm വരെ എത്താം, ഇതിന് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വിസ്‌കറുകളേക്കാൾ ഉയർന്ന വീക്ഷണാനുപാതം ഉണ്ട്.

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവയറുകൾക്ക് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് ബൾക്ക് മെറ്റീരിയലുകളുടെ വിവിധ മെക്കാനിക്കൽ ഗുണങ്ങൾ പാരമ്പര്യമായി ലഭിക്കുന്നു, കൂടാതെ ലോ-ഡൈമൻഷണൽ മെറ്റീരിയലുകൾക്ക് സവിശേഷമായ നിരവധി ഗുണങ്ങളുണ്ട്. സൈദ്ധാന്തികമായി, ഒരൊറ്റ SiCNW-കളുടെ യങ്ങിൻ്റെ മോഡുലസ് ഏകദേശം 610~660GPa ആണ്; വളയുന്ന ശക്തി 53.4GPa വരെ എത്താം, ഇത് SiC വിസ്‌കറിനേക്കാൾ ഇരട്ടിയാണ്; ടെൻസൈൽ ശക്തി 14GPa കവിയുന്നു.

കൂടാതെ, SiC തന്നെ ഒരു പരോക്ഷ ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലക മെറ്റീരിയൽ ആയതിനാൽ, ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റി ഉയർന്നതാണ്. മാത്രമല്ല, അതിൻ്റെ നാനോ സ്കെയിൽ വലിപ്പം കാരണം, SiC നാനോവയറുകൾക്ക് ചെറിയ വലിപ്പത്തിലുള്ള ഫലമുണ്ട്, കൂടാതെ ഒരു ലുമിനസെൻ്റ് മെറ്റീരിയലായി ഉപയോഗിക്കാം; അതേ സമയം, SiC-NWs ക്വാണ്ടം ഇഫക്റ്റുകളും കാണിക്കുന്നു, അവ ഒരു അർദ്ധചാലക കാറ്റലറ്റിക് മെറ്റീരിയലായി ഉപയോഗിക്കാം. നാനോ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വയറുകൾക്ക് ഫീൽഡ് എമിഷൻ, റൈൻഫോഴ്‌സ്‌മെൻ്റ്, ടഫ്‌നിംഗ് മെറ്റീരിയലുകൾ, സൂപ്പർകപ്പാസിറ്ററുകൾ, വൈദ്യുതകാന്തിക തരംഗ ആഗിരണം ഉപകരണങ്ങൾ എന്നീ മേഖലകളിൽ പ്രയോഗ സാധ്യതകളുണ്ട്.

ഫീൽഡ് എമിഷൻ മേഖലയിൽ, നാനോ SiC വയറുകൾക്ക് മികച്ച താപ ചാലകത, 2.3 eV-ൽ കൂടുതൽ ബാൻഡ് വിടവ് വീതി, മികച്ച ഫീൽഡ് എമിഷൻ പ്രകടനം എന്നിവ ഉള്ളതിനാൽ, അവ ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ട് ചിപ്പുകൾ, വാക്വം മൈക്രോ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ മുതലായവയിൽ ഉപയോഗിക്കാം.
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവയറുകളാണ് കാറ്റലിസ്റ്റ് മെറ്റീരിയലായി ഉപയോഗിച്ചിരിക്കുന്നത്. ഗവേഷണത്തിൻ്റെ ആഴം കൂടുന്നതിനനുസരിച്ച്, ഫോട്ടോകെമിക്കൽ കാറ്റലിസിസിൽ അവ ക്രമേണ ഉപയോഗിക്കുന്നു. അസറ്റാൽഡിഹൈഡിൽ കാറ്റലറ്റിക് റേറ്റ് പരീക്ഷണങ്ങൾ നടത്താനും അൾട്രാവയലറ്റ് രശ്മികൾ ഉപയോഗിച്ച് അസറ്റാൽഡിഹൈഡ് വിഘടിക്കുന്ന സമയം താരതമ്യം ചെയ്യാനും സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവയറുകൾ ഉപയോഗിച്ചുള്ള പരീക്ഷണങ്ങളുണ്ട്. സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് നാനോവയറുകൾക്ക് നല്ല ഫോട്ടോകാറ്റലിറ്റിക് ഗുണങ്ങളുണ്ടെന്ന് ഇത് തെളിയിക്കുന്നു.

SiC നാനോവയറുകളുടെ ഉപരിതലത്തിന് ഇരട്ട-പാളി ഘടനയുടെ ഒരു വലിയ പ്രദേശം സൃഷ്ടിക്കാൻ കഴിയുമെന്നതിനാൽ, ഇതിന് മികച്ച ഇലക്ട്രോകെമിക്കൽ എനർജി സ്റ്റോറേജ് പ്രകടനമുണ്ട് കൂടാതെ സൂപ്പർ കപ്പാസിറ്ററുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു.