1% Вольфрамын нэмэлттэй ванадийн давхар ислийн нунтаг W-VO2 тоосонцор

Гянт болдоор баяжуулсан ванадийн давхар ислийн нунтаг үзүүлэлт:

Бөөмийн хэмжээ: 5-6um

Цэвэр байдал: 99%+

Өнгө: Саарал хар

Гянт болдын допингийн харьцаа: 1-2% хооронд тохируулж болно

Фазын шилжилтийн температур: ойролцоогоор 20-68 ℃ хооронд тохируулж болно

Холбогдох материал: цэвэр VO2 нано нунтаг

W-ийн нэмэлттэй ванадийн давхар исэл (W-VO2) нунтаг хэрэглэх:

Нано ванадийн давхар исэл (VO2) нь ирээдүйн электроникийн үйлдвэрлэлийн хувьсгалт материал хэмээн өргөмжлөгдсөн.Үүний гол шинж чанаруудын нэг нь өрөөний температурт тусгаарлагч шинж чанартай байдаг боловч 68 хэмээс дээш температурт атомын бүтэц нь өрөөний температурт болор бүтэцээс металл болж өөрчлөгддөг.Металл тусгаарлагчийн шилжилт (MIT) гэгддэг энэхүү өвөрмөц шинж чанар нь түүнийг шинэ үеийн бага чадалтай электрон төхөөрөмжүүдэд цахиурыг орлуулахад тохиромжтой нэр дэвшигч болгодог.

Одоогийн байдлаар оптоэлектроник төхөөрөмжид VO2 материалыг ашиглах нь ихэвчлэн нимгэн хальсан төлөвт байгаа бөгөөд цахилгаан хром төхөөрөмж, оптик унтраалга, микробатарей, эрчим хүч хэмнэх бүрээс, ухаалаг цонх, микроболометрийн төхөөрөмж зэрэг төрөл бүрийн салбарт амжилттай хэрэглэгдэж байна.Ванадийн давхар ислийн дамжуулагч шинж чанар нь оптик төхөөрөмж, электрон төхөөрөмж, оптоэлектроник төхөөрөмжүүдэд өргөн хүрээний боломжит хэрэглээг өгдөг.

Яагаад вольфрамын допинг гэж?

Фазын өөрчлөлтийг багасгахын тулдфазын шилжилтийн температур.

Хадгалах нөхцөл:

W-VO2 нунтагыг хуурай, сэрүүн орчинд битүүмжилж, гэрлээс хол газар хадгална.

(2% W-VO2-ийн DSC)