SiC нано утаснуудын тархалт ба нэмэлт хэмжээ (зөвхөн лавлагааны зориулалтаар)
Санал болгож буй тархалтын орчин: ионгүйжүүлсэн ус, нэрмэл ус, усгүй этанол, этилен гликол
Санал болгож буй тараагч: Полиэтилен имин (PEI), ион бус полиакри ламид (PAM), натрийн пирофосфат (SPP), twain 80, цахиурын нэгдэл холбогч бодис, полиэтилен гликол, натрийн гексаметафосфат, натрийн карбоксиметил целлюлоз гэх мэт.
Энгийн керамик матрицын нийлмэл материалд ерөнхийдөө 10wt%-иас бага хэмжээний цахиурын карбидын нано утас нэмдэг.Тусгай оновчлолын явцад 1wt%-иас эхэлж, аажмаар туршилт хийж, оновчтой болгохыг зөвлөж байна.Туршилтын практикт нэмсэн хэмжээ их байх тусам сайн байх албагүй, энэ нь түүхий эд, материалын хэмжээ, агломерын температур зэргээс шалтгаална, боломжийн нэмэх хэмжээ нь хамгийн сайн чангаруулах нөлөө үзүүлдэг.

Тарсан SiC нано утастай зутан болон керамик нунтаг холилдсоны дараа 1-12 цагийн турш үргэлжлүүлэн тараана.ирмэгийн тээрмийн тархалт эсвэл механик хутгах аргыг хэрэглэхийг зөвлөж байна.Бөмбөг тээрэмдэх арга нь нано утас таслахад хялбар байдаг.

SiC нано утас болон матрицын материалыг холих нь тийм ч сайн биш бол холих жигд байдлыг сайжруулахын тулд тараагч болгон SiCNW-ийн 1% масстай натрийн гексаметафосфатыг (эсвэл бага хэмжээний изопропанол/этанол) нэмж болно.

Тарсаны дараа хуурай, шингэн алдалтыг нэн даруй хийх хэрэгтэй.Зуурмагийг том талбайтай саванд хийнэ, нимгэн тарааж, талбайг ихэсгэх нь амархан ууршиж, хуурайших болно. Нано утас болон матрицын хоорондох түүхий эдийг задлахаас зайлсхийх нь илүү чухал юм.Санал болгож буй хатаах температур нь 110-160 ℃ байна.