Цахиурын карбидын нано утасны диаметр нь ерөнхийдөө 500 нм-ээс бага бөгөөд урт нь хэдэн зуун мкм хүрч чаддаг бөгөөд энэ нь цахиурын карбидын сахалтай харьцуулахад өндөр харьцаатай байдаг.

Цахиурын карбидын нано утаснууд нь цахиурын карбидын задгай материалын янз бүрийн механик шинж чанарыг өвлөн авдаг бөгөөд бага хэмжээст материалд өвөрмөц шинж чанартай байдаг. Онолын хувьд нэг SiCNW-ийн Янгийн модуль нь ойролцоогоор 610~660GPa; гулзайлтын хүч нь 53.4GPa хүрч болох бөгөөд энэ нь SiC сахалтай харьцуулахад хоёр дахин их юм; суналтын бат бэх нь 14GPa-аас давсан.

Нэмж дурдахад SiC нь өөрөө шууд бус зурвасын хагас дамжуулагч материал учраас электроны хөдөлгөөн өндөр байдаг. Түүнээс гадна, нано масштабын хэмжээнээс шалтгаалан SiC нано утаснууд нь жижиг хэмжээтэй нөлөөтэй бөгөөд гэрэлтэгч материал болгон ашиглаж болно; Үүний зэрэгцээ SiC-NW нь квант нөлөө үзүүлдэг бөгөөд хагас дамжуулагч катализаторын материал болгон ашиглаж болно. Нано цахиурын карбид утаснууд нь талбайн ялгаруулалт, арматур ба чангаруулах материал, суперконденсатор, цахилгаан соронзон долгион шингээх төхөөрөмжүүдийн салбарт ашиглах боломжтой.

Талбайн ялгаралтын салбарт нано SiC утаснууд нь маш сайн дулаан дамжуулалттай, 2.3 эВ-ээс их зурвасын өргөнтэй, талбайн ялгаруулалтын гүйцэтгэл маш сайн байдаг тул тэдгээрийг нэгдсэн хэлхээний чип, вакуум микроэлектроник төхөөрөмж гэх мэт ашиглаж болно.
Цахиурын карбидын нано утсыг катализаторын материал болгон ашигласан. Судалгааг гүнзгийрүүлэхийн хэрээр тэдгээрийг фотохимийн катализаторд аажмаар ашиглаж байна. Цахиурын карбидын нано утас ашиглан ацетальдегид дээр каталитик хурдтай туршилт хийх, хэт ягаан туяа ашиглан ацетальдегидийн задралын хугацааг харьцуулах туршилтууд байдаг. Цахиурын карбидын нано утаснууд нь сайн фотокаталитик шинж чанартай болохыг баталж байна.

SiC нано утасны гадаргуу нь давхар давхар бүтэцтэй том талбайг бүрдүүлж чаддаг тул цахилгаан химийн энерги хадгалах маш сайн үзүүлэлттэй бөгөөд суперконденсаторуудад ашиглагддаг.