SiC Nanowires चे फैलाव आणि अतिरिक्त रक्कम (केवळ संदर्भासाठी)
शिफारस केलेले फैलाव माध्यम: विआयनीकृत पाणी, डिस्टिल्ड वॉटर, निर्जल इथेनॉल, इथिलीन ग्लायकोल
शिफारस केलेले डिस्पेर्संट:पॉलीथिलीन इमाइन (पीईआय), नॉनिओनिक पॉलीएक्री लॅमाइड (पीएएम), सोडियम पायरोफॉस्फेट (एसपीपी), ट्वेन 80, सिलिकॉन कंपाऊंड कपलिंग एजंट, पॉलीथिलीन ग्लायकोल, सोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेट, सोडियम कार्बोक्झिमेथाइल (एमसीसी), सेल्युलोज इ.
सामान्य सिरेमिक मॅट्रिक्स कंपोझिटमध्ये, 10wt% पेक्षा कमी सिलिकॉन कार्बाइड नॅनोवायर सामान्यतः जोडले जातात. विशिष्ट ऑप्टिमायझेशनच्या प्रक्रियेत, 1wt% पासून प्रारंभ करणे आणि हळूहळू प्रयोग आणि ऑप्टिमाइझ करण्याची शिफारस केली जाते.प्रायोगिक पद्धतीनुसार, जोडण्याचे प्रमाण जितके जास्त असेल तितके चांगले असेलच असे नाही, ते कच्च्या मालाशी संबंधित आहे, सामग्रीचा आकार, सिंटरिंग तापमान, वाजवी रक्कम जोडल्यास सर्वोत्तम कडक प्रभाव मिळू शकतो.

विखुरलेली SiC नॅनोवायर स्लरी आणि सिरॅमिक पावडर मिसळल्यानंतर, 1-12 तासांपर्यंत पसरत रहा.मणी मिल फैलाव किंवा यांत्रिक ढवळण्याची पद्धत शिफारसीय आहे.बॉल मिलिंग पद्धतीमुळे नॅनोवायर तुटणे सोपे आहे.

जर SiC नॅनोवायर आणि मॅट्रिक्स मटेरिअल्सचे मिश्रण इतके चांगले नसेल, तर मिक्सिंग एकरूपता सुधारण्यासाठी 1% द्रव्यमान SiCNW (किंवा थोड्या प्रमाणात आयसोप्रोपॅनॉल/इथेनॉल) सोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेट मिसळले जाऊ शकते.

dispersing केल्यानंतर, कोरडे आणि निर्जलीकरण ताबडतोब चालते पाहिजे.स्लरी मोठ्या क्षेत्रफळ असलेल्या भांड्यात टाका जेणेकरून ते पातळ होईल, आणि ते क्षेत्र वाढवून बाष्पीभवन होईल आणि सहज निर्जलीकरण होईल. नॅनोवायर आणि मॅट्रिक्समधील कच्च्या मालाचे विघटन टाळणे अधिक महत्त्वाचे आहे.शिफारस केलेले कोरडे तापमान 110-160 डिग्री सेल्सियस आहे.