Diameter nanowires karbida silikon pada umumnya kurang daripada 500nm, dan panjangnya dapat mencapai beratus -ratus μm, yang mempunyai nisbah aspek yang lebih tinggi daripada kumis karbida silikon.

Nanowires karbida silikon mewarisi pelbagai sifat mekanikal bahan pukal karbida silikon dan juga mempunyai banyak sifat yang unik untuk bahan-bahan dimensi rendah. Secara teorinya, modulus Young SICNWS tunggal adalah kira -kira 610 ~ 660gpa; Kekuatan lentur dapat mencapai 53.4gpa, yang kira -kira dua kali ganda dari sic whiskers; Kekuatan tegangan melebihi 14gpa.

Di samping itu, kerana SIC sendiri adalah bahan semikonduktor bandgap tidak langsung, pergerakan elektron adalah tinggi. Selain itu, disebabkan saiz skala nano, nanowires sic mempunyai kesan saiz yang kecil dan boleh digunakan sebagai bahan luminescent; Pada masa yang sama, SIC-NWS juga menunjukkan kesan kuantum dan boleh digunakan sebagai bahan pemangkin semikonduktor. Wayar karbida silikon Nano mempunyai potensi aplikasi dalam bidang pelepasan lapangan, penguatkuasaan dan bahan penguat, supercapacitors, dan peranti penyerapan gelombang elektromagnet.

Dalam bidang pelepasan lapangan, kerana wayar nano sic mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik, lebar jurang band lebih besar daripada 2.3 eV, dan prestasi pelepasan medan yang sangat baik, mereka boleh digunakan dalam kerepek litar bersepadu, peranti mikroelektronik vakum, dll.
Nanowires karbida silikon telah digunakan sebagai bahan pemangkin. Dengan mendalam penyelidikan, mereka secara beransur -ansur digunakan dalam pemangkinan fotokimia. Terdapat eksperimen menggunakan nanowires karbida silikon untuk menjalankan eksperimen kadar pemangkin pada acetaldehid, dan membandingkan masa penguraian acetaldehid menggunakan sinar ultraviolet. Ia membuktikan bahawa nanowires karbida silikon mempunyai sifat photocatalytic yang baik.

Oleh kerana permukaan nanowires SIC dapat membentuk kawasan besar struktur dua lapisan, ia mempunyai prestasi penyimpanan tenaga elektrokimia yang sangat baik dan telah digunakan dalam supercapacitors.