Diameter wayar nano silikon karbida biasanya kurang daripada 500nm, dan panjangnya boleh mencapai ratusan μm, yang mempunyai nisbah aspek yang lebih tinggi daripada misai silikon karbida.

Wayar nano silikon karbida mewarisi pelbagai sifat mekanikal bahan pukal silikon karbida dan juga mempunyai banyak sifat unik kepada bahan berdimensi rendah. Secara teorinya, modulus Young bagi satu SiCNW adalah kira-kira 610~660GPa; kekuatan lenturan boleh mencapai 53.4GPa, iaitu kira-kira dua kali ganda daripada kumis SiC; kekuatan tegangan melebihi 14GPa.

Di samping itu, kerana SiC sendiri adalah bahan semikonduktor celah jalur tidak langsung, mobiliti elektron adalah tinggi. Selain itu, disebabkan saiz skala nanonya, wayar nano SiC mempunyai kesan saiz kecil dan boleh digunakan sebagai bahan pendarfluor; pada masa yang sama, SiC-NW juga menunjukkan kesan kuantum dan boleh digunakan sebagai bahan pemangkin semikonduktor. Wayar karbida silikon nano mempunyai potensi aplikasi dalam bidang pelepasan medan, bahan tetulang dan peneguh, supercapacitors, dan peranti penyerapan gelombang elektromagnet.

Dalam bidang pelepasan medan, kerana wayar nano SiC mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik, lebar jurang jalur lebih besar daripada 2.3 eV, dan prestasi pelepasan medan yang sangat baik, ia boleh digunakan dalam cip litar bersepadu, peranti mikroelektronik vakum, dsb.
Wayar nano silikon karbida telah digunakan sebagai bahan pemangkin. Dengan penyelidikan yang mendalam, mereka secara beransur-ansur digunakan dalam pemangkinan fotokimia. Terdapat eksperimen menggunakan wayar nano silikon karbida untuk menjalankan eksperimen kadar pemangkin pada asetaldehid, dan membandingkan masa penguraian asetaldehid menggunakan sinar ultraungu. Ia membuktikan bahawa wayar nano silikon karbida mempunyai sifat fotokatalitik yang baik.

Oleh kerana permukaan wayar nano SiC boleh membentuk kawasan struktur dua lapisan yang besar, ia mempunyai prestasi penyimpanan tenaga elektrokimia yang sangat baik dan telah digunakan dalam supercapacitors.