ပါဝါမြင့်သောကိရိယာသည် အလုပ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း ကြီးမားသောအပူကိုထုတ်ပေးသည်။ အချိန်မီ မတင်ပို့ပါက၊ ၎င်းသည် ပါဝါ module ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ထိခိုက်စေမည့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်ထားသော အလွှာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြင်းထန်စွာ လျှော့ချမည်ဖြစ်သည်။

နာနိုငွေsintering နည်းပညာသည် အပူချိန်နိမ့်သော nano-silver cream ကိုအသုံးပြုသည့် မြင့်မားသော-အပူချိန်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာဖြစ်ပြီး၊ sintering temperature သည် silver-shaped silver ၏ အရည်ပျော်မှတ်ထက် များစွာနိမ့်ပါသည်။ နာနို-ငွေငါးပိရှိ အော်ဂဲနစ်အစိတ်အပိုင်းများသည် sintering လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ပြိုကွဲပြီး volatilize ဖြစ်ပြီး နောက်ဆုံးတွင် ငွေရောင်ချိတ်ဆက်မှုအလွှာတစ်ခုအဖြစ် ဖွဲ့စည်းသည်။ nano -silver sintering connector သည် တတိယ-generation semiconductor power module package ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် low-temperature connections နှင့် high temperature service များ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။ ၎င်းတွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်ကို ယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိသည်။ ၎င်းကို ပါဝါစက်ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အများအပြား အသုံးချခဲ့သည်။ Nano -silver cream သည် ကောင်းမွန်သော conductivity ၊ low temperature welding ၊ high reliability နှင့် high temperature service performance ရှိသည်။ ၎င်းသည် လက်ရှိတွင် ဖြစ်နိုင်ချေအရှိဆုံး အပူချိန်နိမ့်သော ဂဟေဆက်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို GAN အခြေခံ ပါဝါ LED ပက်ကေ့ခ်ျ၊ MOSFET ပါဝါကိရိယာနှင့် IGBT ပါဝါကိရိယာတို့တွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုသည်။ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို 5G ဆက်သွယ်ရေး မော်ဂျူးများ၊ LED ထုပ်ပိုးမှု၊ Internet of Things၊ အာကာသ မော်ဂျူးများ၊ လျှပ်စစ်ကားများ၊ မြန်နှုန်းမြင့် ရထားနှင့် ရထားပို့ဆောင်ရေး၊ နေရောင်ခြည်မှ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ခြင်း၊ လေအားထုတ်လုပ်ခြင်း၊ စမတ်ဂရစ်များ၊ စမတ်အိမ်သုံးပစ္စည်းများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။ .

အစီရင်ခံစာများအရ 70nm ငွေမှုန့်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည့် အလင်းစုပ်ခွက်သည် ရေခဲသေတ္တာ၏လုပ်ငန်းဆောင်တာအပူချိန်ကို 0.01 မှ 0.003K သို့ရောက်ရှိစေပြီး သမားရိုးကျပစ္စည်းများထက် 30% ပိုမိုထိရောက်မှုရှိနိုင်ပါသည်။ nano -silver doped (BI, PB) 2SR2CA2CU3OX block material ၏ မတူညီသော အကြောင်းအရာများကို လေ့လာခြင်းဖြင့်၊ nano -silver doping သည် ပစ္စည်း၏ အရည်ပျော်မှတ်ကို လျော့နည်းစေပြီး မြင့်မားသော TC ကို အရှိန်မြှင့်ပေးသည် (TC သည် အရေးကြီးသော အပူချိန်ကို ရည်ညွှန်းသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ ပုံမှန်အခြေအနေမှ superconductive အခြေအနေ ခုခံမှု ပျောက်ကွယ်သွားခြင်း)။

low-temperature dilution refrigeration ကိရိယာများအတွက် နာနိုငွေအတွက် အပူပေးနံရံပစ္စည်းများသည် အပူချိန်ကို လျှော့ချနိုင်ပြီး အပူချိန်ကို 10mkj မှ 2mk အထိ လျှော့ချနိုင်သည်။ ဆိုလာကလာပ်တခုတည်းရှိသော crystal silicon wafer sintering silver pulp သည် အပူကူးပြောင်းမှုနှုန်းကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။