မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်သည်အလုပ်လုပ်စဉ်အတွင်းကြီးမားသောအပူထုတ်လုပ်သည်။ အကယ်. ၎င်းကိုအချိန်မီတင်ပို့ပါက၎င်းသည်ပါဝါပုံစံ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအပေါ်သက်ရောက်မှုရှိမည့် Internonnected layer ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုအလေးအနက်လျှော့ချလိမ့်မည်။

nano ငွေSintering Technetion သည် Nano -silver Cream ကိုအပူချိန်ဖြင့်အသုံးပြုသောမြင့်မားသော packaging connection နည်းပညာဖြစ်သည်။ Nano -silver ရှိအော်ဂဲနစ်အစိတ်အပိုင်းများသည် Sinting လုပ်ငန်းစဉ်တွင်ပြိုကွဲခြင်းနှင့်မတူကွဲပြားမှုတို့ကိုချိုးဖောက်ပြီးနောက်ဆုံးတွင်ငွေချိတ်ဆက်မှုအလွှာတစ်ခုဖွဲ့စည်းသည်။ Nano -silver Sincing Connector သည်တတိယမြောက်စစ်အာဏာ semiconductor power power module package နှင့်အလွန်နည်းပါးသောဆက်သွယ်မှုများနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသော 0 န်ဆောင်မှုများ၏လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီနိုင်သည်။ ၎င်းတွင်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူချိန်နှင့်အပူချိန်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိသည်။ ၎င်းကိုပါဝါစက်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသောပမာဏများစွာတွင်အသုံးပြုထားသည်။ Nano -silver Cream တွင်ကောင်းမွန်သောစီးကူးမှု, အပူချိန်နိမ့်သောဂဟေဆော်ခြင်း, ၎င်းသည်လက်ရှိတွင်အနိမ့်အမြင့်ဆုံးပါးလွှာသောဂဟေဆော်ခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို Gan -based Power LED အထုပ်, Mosfet Power Device နှင့် Igbt Power Device တို့တွင်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည်။ Power Semiconductor ကိရိယာများသည် 5G ဆက်သွယ်ရေး module များ, လေကြောင်းလိုင်းများ, လျှပ်စစ်မီးနှင့်ရထားလမ်းနှင့်ရထားလမ်းမြင့်ရထားလမ်းနှင့်ရထားလမ်းများ,

အစီရင်ခံစာများအရအပူလဲလှယ်ရေးပစ္စည်းအတွက်ငွေပမာဏ 70nm ငွေအမှုန့်များဖြင့်ပြုလုပ်ထားသောအလင်းစုပ်စက်သည်ရေခဲသေတ္တာမှ 0.011 0.003K အထိရောက်ရှိနိုင်ပြီးစွမ်းဆောင်ရည်သည်အစဉ်အလာပစ္စည်းများထက် 30% ပိုမိုမြင့်မားနိုင်သည်။ Nano -silver ၏ကွဲပြားခြားနားသောအကြောင်းအရာများကိုလေ့လာခြင်းအားဖြင့် Nano -silver Doping သည်ပစ္စည်းများ၏အရည်ပျော်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်။

နိမ့်ကျသော dilution ရေခဲသေတ္တာအအေးကိရိယာများအတွက် Nano Silver အတွက်အပူပေးသောပစ္စည်းသည်အပူချိန်ကိုလျှော့ချနိုင်ပြီး 10mkj မှ 2MK သို့အပူချိန်ကိုလျှော့ချနိုင်သည်။ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်တစ်ခုတည်း Crystal silicon silicon sintering sinter silp သည်အပူပြောင်းလဲခြင်းနှုန်းကိုတိုးမြှင့်နိုင်သည်။